Πλάκα μεταφοράς SiC Graphite RTP για MOCVD

Το Semicorex SiC Graphite RTP Carrier Plate for MOCVD προσφέρει ανώτερη αντοχή στη θερμότητα και θερμική ομοιομορφία, καθιστώντας το την τέλεια λύση για εφαρμογές επεξεργασίας γκοφρετών ημιαγωγών. Με γραφίτη υψηλής ποιότητας επικαλυμμένο με SiC, αυτό το προϊόν έχει σχεδιαστεί για να αντέχει στο πιο σκληρό περιβάλλον εναπόθεσης για επιταξιακή ανάπτυξη. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και οι εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας εξασφαλίζουν αξιόπιστη απόδοση για RTA, RTP ή σκληρό χημικό καθαρισμό.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το SiC Graphite RTP Carrier Plate for MOCVD for MOCVD Epitaxial Growth είναι η τέλεια λύση για χειρισμό γκοφρέτας και επεξεργασία επιταξιακής ανάπτυξης. Με λεία επιφάνεια και υψηλή αντοχή στον χημικό καθαρισμό, αυτό το προϊόν εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε σκληρά περιβάλλοντα εναπόθεσης.
Το υλικό της πλάκας μεταφοράς SiC γραφίτη RTP για MOCVD έχει σχεδιαστεί για να αποτρέπει ρωγμές και αποκολλήσεις, ενώ η ανώτερη αντίσταση στη θερμότητα και η θερμική ομοιομορφία εξασφαλίζουν σταθερή απόδοση για RTA, RTP ή σκληρό χημικό καθαρισμό.
Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με το SiC Graphite RTP Carrier Plate για MOCVD.

Παράμετροι SiC Graphite RTP Carrier Plate για MOCVD

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπυλική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά SiC Graphite RTP Carrier Plate για MOCVD

Γραφίτης με επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας
Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία
Λεπτή επικάλυψη κρυστάλλου SiC για λεία επιφάνεια
Υψηλή αντοχή στον χημικό καθαρισμό
Το υλικό είναι σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην εμφανίζονται ρωγμές και αποκόλληση.