Κίνα SiC Wafer Manufacturers, Suppliers, Factory

Μια λεπτή φέτα υλικού ημιαγωγού ονομάζεται γκοφρέτα, η οποία αποτελείται από πολύ καθαρό μονοκρυστάλλινο υλικό. Στη διαδικασία Czochralski, μια κυλινδρική ράβδος ενός εξαιρετικά καθαρού μονοκρυσταλλικού ημιαγωγού κατασκευάζεται με το τράβηγμα ενός κρυστάλλου σπόρων από ένα τήγμα.

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) και οι πολύτυποί του αποτελούν μέρος του ανθρώπινου πολιτισμού για μεγάλο χρονικό διάστημα. το τεχνικό ενδιαφέρον αυτής της σκληρής και σταθερής ένωσης έχει πραγματοποιηθεί το 1885 και το 1892 από την Cowless και την Acheson για σκοπούς λείανσης και κοπής, οδηγώντας στην κατασκευή της σε μεγάλη κλίμακα.

Οι εξαιρετικές φυσικές και χημικές ιδιότητες καθιστούν το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) εξέχοντα υποψήφιο για ποικίλες εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένων συσκευών υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας και οπτοηλεκτρονικών συσκευών, δομικό συστατικό σε αντιδραστήρες σύντηξης, υλικό επένδυσης για αερόψυκτες συσκευές αντιδραστήρες σχάσης και μια αδρανής μήτρα για τη μεταστοιχείωση του Pu. Διαφορετικοί πολυ-τύποι SiC όπως 3C, 6H και 4H έχουν χρησιμοποιηθεί ευρέως. Η εμφύτευση ιόντων είναι μια κρίσιμη τεχνική για την επιλεκτική εισαγωγή προσμείξεων για την παραγωγή συσκευών με βάση το Si, για την κατασκευή πλακιδίων SiC τύπου p και n.

Η ράβδοςστη συνέχεια κόβεται σε φέτες για να σχηματιστούν γκοφρέτες SiC καρβιδίου του πυριτίου.

Ιδιότητες υλικού καρβιδίου του πυριτίου

Διαφορετικοί τύποι γκοφρέτες SiC

Υπάρχουν τρεις τύποι:γκοφρέτα sic τύπου n, γκοφρέτα sic τύπου pκαιημιμονωτική γκοφρέτα sic υψηλής καθαρότητας. Το ντόπινγκ αναφέρεται στην εμφύτευση ιόντων που εισάγει ακαθαρσίες σε έναν κρύσταλλο πυριτίου. Αυτά τα προσμίξεις επιτρέπουν στα άτομα του κρυστάλλου να σχηματίσουν ιοντικούς δεσμούς, καθιστώντας τον άλλοτε εγγενή κρύσταλλο εξωτερικό. Αυτή η διαδικασία εισάγει δύο τύπους ακαθαρσιών. N-τύπου και P-τύπου. Ο «τύπος» που γίνεται εξαρτάται από τα υλικά που χρησιμοποιούνται για τη δημιουργία της χημικής αντίδρασης. Η διαφορά μεταξύ της γκοφρέτας SiC τύπου N και τύπου P είναι το κύριο υλικό που χρησιμοποιείται για τη δημιουργία της χημικής αντίδρασης κατά τη διάρκεια του ντόπινγκ. Ανάλογα με το υλικό που χρησιμοποιείται, το εξωτερικό τροχιακό θα έχει είτε πέντε είτε τρία ηλεκτρόνια που κάνουν ένα αρνητικά φορτισμένο (τύπου Ν) και ένα θετικά φορτισμένο (τύπου P).

Οι γκοφρέτες SiC τύπου N χρησιμοποιούνται κυρίως σε οχήματα νέας ενέργειας, μετάδοση και υποσταθμό υψηλής τάσης, λευκά είδη, τρένα υψηλής ταχύτητας, κινητήρες, φωτοβολταϊκούς μετατροπείς, παλμικά τροφοδοτικά κ.λπ. Έχουν τα πλεονεκτήματα της μείωσης της απώλειας ενέργειας του εξοπλισμού, της βελτίωσης την αξιοπιστία του εξοπλισμού, τη μείωση του μεγέθους του εξοπλισμού και τη βελτίωση της απόδοσης του εξοπλισμού και έχουν αναντικατάστατα πλεονεκτήματα στην κατασκευή ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος.

Η υψηλής καθαρότητας ημιμονωτική γκοφρέτα SiC χρησιμοποιείται κυρίως ως υπόστρωμα συσκευών υψηλής ισχύος RF.

Epitaxy - III-V Εναπόθεση Νιτριδίου

Επιταξιακές στρώσεις SiC, GaN, AlxGa1-xN και InyGa1-yN σε υπόστρωμα SiC ή υπόστρωμα ζαφείρι.