RTP/RTA SiC Coating Carrier

Το Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier έχει σχεδιαστεί για να αντέχει στις πιο δύσκολες συνθήκες του περιβάλλοντος εναπόθεσης. Με την υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση, αυτό το προϊόν έχει σχεδιαστεί για να παρέχει βέλτιστη απόδοση για επιταξιακή ανάπτυξη. Ο φορέας με επίστρωση SiC έχει υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας, εξασφαλίζοντας αξιόπιστη απόδοση για RTA, RTP ή σκληρό χημικό καθαρισμό.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το RTP/RTA SiC Coating Carrier για MOCVD Epitaxial Growth είναι η τέλεια λύση για το χειρισμό γκοφρέτας και την επεξεργασία επιταξιακής ανάπτυξης. Με λεία επιφάνεια και υψηλή αντοχή στον χημικό καθαρισμό, αυτό το προϊόν προσφέρει αξιόπιστη απόδοση σε σκληρά περιβάλλοντα εναπόθεσης.
Το υλικό του φορέα επίστρωσης RTP/RTA SiC μας έχει σχεδιαστεί για να αποτρέπει ρωγμές και αποκολλήσεις, ενώ η ανώτερη αντίσταση στη θερμότητα και η θερμική ομοιομορφία εξασφαλίζουν σταθερή απόδοση για RTA, RTP ή σκληρό χημικό καθαρισμό.
Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα για το φορέα επίστρωσης RTP/RTA SiC

Παράμετροι RTP/RTA SiC Coating Carrier

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπυλική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά του RTP/RTA SiC Coating Carrier

Γραφίτης με επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας
Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία
Λεπτή επικάλυψη κρυστάλλου SiC για λεία επιφάνεια
Υψηλή αντοχή στον χημικό καθαρισμό
Το υλικό είναι σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην εμφανίζονται ρωγμές και αποκόλληση.