Οι αντιδραστήρες της Semicorex Susceptors for MOCVD Reactors είναι προϊόντα υψηλής ποιότητας που χρησιμοποιούνται στη βιομηχανία ημιαγωγών για διάφορες εφαρμογές, όπως στρώματα καρβιδίου του πυριτίου και ημιαγωγοί επιταξίας. Το προϊόν μας διατίθεται σε σχήμα γραναζιού ή δακτυλίου και έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, καθιστώντας το σταθερό σε θερμοκρασίες έως και 1600°C.
Τα Susceptors μας για αντιδραστήρες MOCVD κατασκευάζονται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας, εξασφαλίζοντας υψηλή καθαρότητα. Η επιφάνεια του προϊόντος είναι πυκνή, με λεπτά σωματίδια και υψηλή σκληρότητα, καθιστώντας το ανθεκτικό στη διάβρωση σε οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
Τα Susceptors μας για αντιδραστήρες MOCVD έχουν σχεδιαστεί για να διασφαλίζουν την επικάλυψη σε όλες τις επιφάνειες, αποφεύγοντας το ξεφλούδισμα και επιτυγχάνοντας το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροή αερίου. Το προϊόν εγγυάται την ομοιομορφία του θερμικού προφίλ και αποτρέπει τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών κατά τη διάρκεια της διαδικασίας, εξασφαλίζοντας αποτελέσματα υψηλής ποιότητας.
Στη Semicorex, δίνουμε προτεραιότητα στην ικανοποίηση των πελατών και παρέχουμε οικονομικά αποδοτικές λύσεις. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα υψηλής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.
Παράμετροι Υποδοχέων για Αντιδραστήρες MOCVD
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC |
||
Ιδιότητες SiC-CVD |
||
Κρυσταλλική Δομή |
FCC β φάση |
|
Πυκνότητα |
g/cm ³ |
3.21 |
Σκληρότητα |
Σκληρότητα Vickers |
2500 |
Μέγεθος κόκκου |
μm |
2~10 |
Χημική Καθαρότητα |
% |
99.99995 |
Θερμοχωρητικότητα |
J kg-1 K-1 |
640 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης |
℃ |
2700 |
Καμπτική δύναμη |
MPa (RT 4 σημείων) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) |
430 |
Θερμική Διαστολή (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Θερμική αγωγιμότητα |
(W/mK) |
300 |
Χαρακτηριστικά του SiC Coated Graphite Susceptor για MOCVD
- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια
Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C
Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.
Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου
- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ
- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών