Δορυφορική πλατφόρμα γραφίτη MOCVD με επίστρωση SiC

Η Semicorex είναι ένας αξιόπιστος προμηθευτής και κατασκευαστής δορυφορικής πλατφόρμας γραφίτη MOCVD με επίστρωση SiC. Το προϊόν μας είναι ειδικά σχεδιασμένο για να καλύπτει τις ανάγκες της βιομηχανίας ημιαγωγών για την ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος στο τσιπ γκοφρέτας. Το προϊόν χρησιμοποιείται ως κεντρική πλάκα στο MOCVD, με γρανάζι ή σχέδιο σε σχήμα δακτυλίου. Έχει υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση, καθιστώντας το ιδανικό για χρήση σε ακραία περιβάλλοντα.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Ένα από τα πιο σημαντικά χαρακτηριστικά της δορυφορικής μας πλατφόρμας γραφίτη MOCVD με επίστρωση SiC είναι η ικανότητά του να εξασφαλίζει επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια, αποφεύγοντας το ξεφλούδισμα. Έχει αντοχή στην οξείδωση σε υψηλές θερμοκρασίες, εξασφαλίζοντας σταθερότητα ακόμη και σε υψηλές θερμοκρασίες έως και 1600°C. Το προϊόν κατασκευάζεται με υψηλή καθαρότητα μέσω εναπόθεσης χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας. Έχει μια πυκνή επιφάνεια με λεπτά σωματίδια, καθιστώντας το ιδιαίτερα ανθεκτικό στη διάβρωση από οξύ, αλκάλιο, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.
Η δορυφορική μας πλατφόρμα γραφίτη MOCVD με επίστρωση SiC έχει σχεδιαστεί για να εγγυάται το καλύτερο μοτίβο στρωτής ροής αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αποτρέπει οποιαδήποτε μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας. Προσφέρουμε ανταγωνιστικές τιμές για το προϊόν μας, καθιστώντας το προσβάσιμο σε πολλούς πελάτες. Η ομάδα μας είναι αφοσιωμένη στην παροχή άριστης εξυπηρέτησης και υποστήριξης πελατών. Καλύπτουμε πολλές από τις ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές και προσπαθούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην παροχή υψηλής ποιότητας και αξιόπιστης δορυφορικής πλατφόρμας γραφίτη MOCVD με επίστρωση SiC. Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα για το προϊόν μας.

Παράμετροι δορυφορικής πλατφόρμας γραφίτη MOCVD με επικάλυψη SiC

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπυλική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά της δορυφορικής πλατφόρμας γραφίτη MOCVD με επίστρωση SiC

- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια
Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C
Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.
Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου
- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ
- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών