Σπίτι > Προϊόντα > Επικαλυμμένο με καρβίδιο πυριτίου > Δέκτης MOCVD > Επικάλυψη γραφίτη με καρβίδιο πυριτίου για MOCVD
Προϊόντα
Επικάλυψη γραφίτη με καρβίδιο πυριτίου για MOCVD

Επικάλυψη γραφίτη με καρβίδιο πυριτίου για MOCVD

Η Semicorex είναι ένας αξιόπιστος προμηθευτής και κατασκευαστής υποδοχέα γραφίτη επίστρωσης καρβιδίου του πυριτίου για MOCVD. Το προϊόν μας είναι ειδικά σχεδιασμένο για να καλύπτει τις ανάγκες της βιομηχανίας ημιαγωγών για την ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος στο τσιπ γκοφρέτας. Το προϊόν χρησιμοποιείται ως κεντρική πλάκα στο MOCVD, με γρανάζι ή σχέδιο σε σχήμα δακτυλίου. Έχει υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση, καθιστώντας το ιδανικό για χρήση σε ακραία περιβάλλοντα.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Ο υποδοχέας γραφίτη επίστρωσης καρβιδίου πυριτίου για MOCVD έχει πολλά βασικά χαρακτηριστικά που το κάνουν να ξεχωρίζει από τον ανταγωνισμό. Εξασφαλίζει επίστρωση σε όλες τις επιφάνειες, αποφεύγοντας το ξεφλούδισμα και έχει αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, εξασφαλίζοντας σταθερότητα ακόμα και σε υψηλές θερμοκρασίες έως και 1600°C. Το προϊόν κατασκευάζεται με υψηλή καθαρότητα μέσω εναπόθεσης χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας. Έχει μια πυκνή επιφάνεια με λεπτά σωματίδια, καθιστώντας το ιδιαίτερα ανθεκτικό στη διάβρωση από οξύ, αλκάλιο, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.
Ο υποδοχέας γραφίτη επίστρωσης καρβιδίου του πυριτίου για MOCVD έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροή αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αποτρέπει οποιαδήποτε μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας.


Παράμετροι επικάλυψης γραφίτη με καρβίδιο πυριτίου για MOCVD

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD

Κρυσταλλική Δομή

FCC β φάση

Πυκνότητα

g/cm ³

3.21

Σκληρότητα

Σκληρότητα Vickers

2500

Μέγεθος κόκκου

μm

2~10

Χημική Καθαρότητα

%

99.99995

Θερμοχωρητικότητα

J kg-1 K-1

640

Θερμοκρασία εξάχνωσης

2700

Καμπτική δύναμη

MPa (RT 4 σημείων)

415

Young's Modulus

Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)

430

Θερμική Διαστολή (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300


Χαρακτηριστικά της επικάλυψης γραφίτη με καρβίδιο πυριτίου για MOCVD

- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια
Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C
Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.
Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου
- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ
- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών




Hot Tags: Επικάλυψη γραφίτη με επίστρωση καρβιδίου πυριτίου για MOCVD, Κίνα, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Μαζικό, Προηγμένο, Ανθεκτικό
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept