MOCVD Susceptor για Επιταξιακή Ανάπτυξη

Η Semicorex είναι κορυφαίος προμηθευτής και κατασκευαστής του MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth. Το προϊόν μας χρησιμοποιείται ευρέως σε βιομηχανίες ημιαγωγών, ιδιαίτερα στην ανάπτυξη του επιταξιακού στρώματος στο τσιπ γκοφρέτας. Ο υποδοχέας μας έχει σχεδιαστεί για να χρησιμοποιείται ως κεντρική πλάκα στο MOCVD, με σχέδιο σε σχήμα γραναζιού ή δακτυλίου. Το προϊόν έχει υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση, καθιστώντας το σταθερό σε ακραία περιβάλλοντα.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Ένα από τα πλεονεκτήματα του MOCVD Susceptor για Επιταξιακή Ανάπτυξη είναι η ικανότητά του να εξασφαλίζει επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια, αποφεύγοντας το ξεφλούδισμα. Το προϊόν έχει αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, η οποία εξασφαλίζει σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες έως και 1600°C. Η υψηλή καθαρότητα του προϊόντος μας επιτυγχάνεται μέσω της εναπόθεσης χημικών ατμών CVD σε συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας. Η πυκνή επιφάνεια με τα λεπτά σωματίδια διασφαλίζει ότι το προϊόν είναι εξαιρετικά ανθεκτικό στη διάβρωση από οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.
Το MOCVD Susceptor για Επιταξιακή Ανάπτυξη έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αυτό βοηθά στην αποφυγή τυχόν μόλυνσης ή διάχυσης ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας.
Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με το MOCVD Susceptor για Επιταξιακή Ανάπτυξη.

Παράμετροι MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπυλική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά του MOCVD Susceptor για Επιταξιακή Ανάπτυξη

- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια
Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C
Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.
Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου
- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ
- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών