Εσωτερικό τμήμα SiC MOCVD

Το Semicorex SiC MOCVD Inner Segment έχει σχεδιαστεί για απόδοση και αξιοπιστία, παρέχοντας ένα κρίσιμο στοιχείο για την απαιτητική διαδικασία της επιτάξεως SiC. Αξιοποιώντας υλικά υψηλής καθαρότητας και προηγμένες τεχνικές κατασκευής, το SiC MOCVD Inner Segment επιτρέπει την ανάπτυξη επιστρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας που είναι απαραίτητες για ηλεκτρονικά ισχύος επόμενης γενιάς και άλλες προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών:

Πλεονεκτήματα υλικού:

Το Inner Segment SiC MOCVD κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας έναν στιβαρό και υψηλής απόδοσης συνδυασμό υλικών:

Υπόστρωμα γραφίτη εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας (περιεκτικότητα σε τέφρα < 5 ppm):Το υπόστρωμα γραφίτη παρέχει μια ισχυρή βάση για το τμήμα κάλυψης. Η εξαιρετικά χαμηλή περιεκτικότητά του σε τέφρα ελαχιστοποιεί τους κινδύνους μόλυνσης, διασφαλίζοντας την καθαρότητα των επιστρωμάτων SiC κατά τη διαδικασία ανάπτυξης.

Επικάλυψη CVD SiC υψηλής καθαρότητας (Καθαρότητα ≥ 99,99995%):Μια διαδικασία χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD) χρησιμοποιείται για την εφαρμογή μιας ομοιόμορφης, υψηλής καθαρότητας επίστρωσης SiC στο υπόστρωμα γραφίτη. Αυτό το στρώμα SiC παρέχει ανώτερη αντίσταση στις αντιδραστικές πρόδρομες ουσίες που χρησιμοποιούνται στην επίταση SiC, αποτρέποντας ανεπιθύμητες αντιδράσεις και εξασφαλίζοντας μακροπρόθεσμη σταθερότητα.

Μερικοί Άλλα ανταλλακτικά CVD SiC MOCVD Ανταλλακτικά Semicorex  

Πλεονεκτήματα απόδοσης σε περιβάλλοντα MOCVD:

Εξαιρετική σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες:Ο συνδυασμός γραφίτη υψηλής καθαρότητας και CVD SiC παρέχει εξαιρετική σταθερότητα στις υψηλές θερμοκρασίες που απαιτούνται για την επιταξία SiC (συνήθως πάνω από 1500°C). Αυτό εξασφαλίζει σταθερή απόδοση και αποτρέπει τη στρέβλωση ή την παραμόρφωση κατά την παρατεταμένη χρήση.

Αντίσταση σε επιθετικούς πρόδρομους:Το εσωτερικό τμήμα SiC MOCVD παρουσιάζει εξαιρετική χημική αντοχή στους επιθετικούς πρόδρομους παράγοντες, όπως το σιλάνιο (SiH4) και το τριμεθυλαλουμίνιο (TMAl), που χρησιμοποιούνται συνήθως στις διεργασίες SiC MOCVD. Αυτό αποτρέπει τη διάβρωση και διασφαλίζει τη μακροπρόθεσμη ακεραιότητα του τμήματος κάλυψης.

Χαμηλή παραγωγή σωματιδίων:Η λεία, μη πορώδης επιφάνεια του εσωτερικού τμήματος SiC MOCVD ελαχιστοποιεί τη δημιουργία σωματιδίων κατά τη διαδικασία MOCVD. Αυτό είναι ζωτικής σημασίας για τη διατήρηση ενός καθαρού περιβάλλοντος διεργασίας και την επίτευξη επιστρώσεων SiC υψηλής ποιότητας χωρίς ελαττώματα.

Βελτιωμένη ομοιομορφία γκοφρέτας:Οι ομοιόμορφες θερμικές ιδιότητες του εσωτερικού τμήματος SiC MOCVD, σε συνδυασμό με την αντοχή του στην παραμόρφωση, συμβάλλουν στη βελτιωμένη ομοιομορφία θερμοκρασίας σε όλο το πλακίδιο κατά τη διάρκεια της επιταξίας. Αυτό οδηγεί σε πιο ομοιογενή ανάπτυξη και βελτιωμένη ομοιομορφία των επιστιβάδων SiC.

Εκτεταμένη διάρκεια ζωής:Οι στιβαρές ιδιότητες του υλικού και η ανώτερη αντοχή σε σκληρές συνθήκες διεργασίας μεταφράζονται σε εκτεταμένη διάρκεια ζωής για το Semicorex SiC MOCVD Inner Segment. Αυτό μειώνει τη συχνότητα των αντικαταστάσεων, ελαχιστοποιώντας το χρόνο διακοπής λειτουργίας και μειώνοντας το συνολικό κόστος λειτουργίας.