SiC End Effector

Το Semicorex SiC End Effector είναι κατασκευασμένο από γραφίτη επικάλυψης καρβιδίου πυριτίου (SiC), η επίστρωση εφαρμόζεται με μέθοδο CVD σε συγκεκριμένες ποιότητες γραφίτη υψηλής πυκνότητας, ώστε να μπορεί να λειτουργεί σε κλίβανο υψηλής θερμοκρασίας με πάνω από 3000 °C σε αδρανή ατμόσφαιρα. 2200°C υπό κενό.

Το SiC End Effector μας έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει το καλύτερο μοτίβο στρωτής ροής αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αυτό βοηθά στην αποφυγή τυχόν μόλυνσης ή διάχυσης ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας.

Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα για το SiC End Effector.

Παράμετροι του SiC End Effector

Χαρακτηριστικά του SiC End Effector

- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια

Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C

Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.

Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.

- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου

- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ

- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών