Σπίτι > Προϊόντα > Επικαλυμμένο με καρβίδιο πυριτίου > Δέκτης MOCVD > Υποδοχείς βάσης γραφίτη με επικάλυψη SiC για MOCVD
Προϊόντα
Υποδοχείς βάσης γραφίτη με επικάλυψη SiC για MOCVD

Υποδοχείς βάσης γραφίτη με επικάλυψη SiC για MOCVD

Τα Semicorex SiC Coated Graphite Base Susceptors for MOCVD είναι φορείς ανώτερης ποιότητας που χρησιμοποιούνται στη βιομηχανία ημιαγωγών. Το προϊόν μας είναι σχεδιασμένο με υψηλής ποιότητας καρβίδιο του πυριτίου που παρέχει εξαιρετική απόδοση και μακροχρόνια αντοχή. Αυτός ο φορέας είναι ιδανικός για χρήση στη διαδικασία ανάπτυξης ενός επιταξιακού στρώματος στο τσιπ γκοφρέτας.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Τα επικαλυμμένα SiC Base Susceptors για MOCVD έχουν υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση που εξασφαλίζουν μεγάλη σταθερότητα ακόμη και σε ακραία περιβάλλοντα.
Τα χαρακτηριστικά αυτού του επικαλυμμένου γραφίτη με επικάλυψη SiC για MOCVD είναι εξαιρετικά. Είναι κατασκευασμένο με επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου υψηλής καθαρότητας σε γραφίτη, που το καθιστά εξαιρετικά ανθεκτικό στην οξείδωση σε υψηλές θερμοκρασίες έως και 1600°C. Η διαδικασία εναπόθεσης χημικών ατμών CVD που χρησιμοποιείται στην κατασκευή του εξασφαλίζει υψηλή καθαρότητα και εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση. Η επιφάνεια του φορέα είναι πυκνή, με λεπτά σωματίδια που ενισχύουν την αντίστασή του στη διάβρωση, καθιστώντας τον ανθεκτικό σε οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
Τα επικαλυμμένα με SiC γραφίτη Βάση Susceptors για MOCVD εξασφαλίζουν ένα ομοιόμορφο θερμικό προφίλ, εγγυώντας το καλύτερο μοτίβο στρωτής ροής αερίου. Αποτρέπει τη διάχυση οποιασδήποτε μόλυνσης ή ακαθαρσιών στη γκοφρέτα, καθιστώντας την ιδανική για χρήση σε περιβάλλοντα καθαρού δωματίου. Η Semicorex είναι μεγάλης κλίμακας κατασκευαστής και προμηθευτής επικαλυμμένου SiC Graphite Susceptor στην Κίνα και τα προϊόντα μας έχουν καλό πλεονέκτημα τιμής. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στη βιομηχανία ημιαγωγών.


Παράμετροι επικαλυμμένων επικαλυμμένων με SiC επιδεκτικά βάσης γραφίτη για MOCVD

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD

Κρυσταλλική Δομή

FCC β φάση

Πυκνότητα

g/cm ³

3.21

Σκληρότητα

Σκληρότητα Vickers

2500

Μέγεθος κόκκου

μm

2~10

Χημική Καθαρότητα

%

99.99995

Θερμοχωρητικότητα

J kg-1 K-1

640

Θερμοκρασία εξάχνωσης

2700

Καμπυλική δύναμη

MPa (RT 4 σημείων)

415

Young's Modulus

Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)

430

Θερμική Διαστολή (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300


Χαρακτηριστικά του SiC Coated Graphite Susceptor για MOCVD

- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια
Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C
Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.
Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου
- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ
- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών




Hot Tags: Υποδοχείς βάσης γραφίτη με επίστρωση SiC για MOCVD, Κίνα, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Μαζικό, Προηγμένο, Ανθεκτικό
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept