SIC Carrier για ICP

Σχεδιασμένο για να ανταποκριθεί στις ασυμβίβαστες απαιτήσεις των σύγχρονων εργαλείων ETCH και εναπόθεσης από το SemicorexSIC, προσφέρει μια σπάνια ισορροπία αντοχής στο πλάσμα, θερμική ακρίβεια και μηχανική σταθερότητα. Στον πυρήνα του βρίσκεται ένα ιδιόκτητο υπόστρωμα γραφίτη μικρού σπιτιού, του οποίου ο κρυσταλλικός προσανατολισμός ελέγχεται αυστηρά για να παράγει έκτακτη ανισότροπη συμπεριφορά: η θερμική αγωγιμότητα στο επίπεδο ξεπερνά τις συμβατικές ισοστατικές βαθμίδες, ενώ η διαδρομή διαμέσου του επιπέδου παραμένει σκόπιμα μεσαία για να καταστέλλει τις θερμές κηλίδες. Αυτή η κατεύθυνση διαχείρισης θερμότητας -ροής εξασφαλίζει ότι κάθε πεθαίνει σε ένα δίσκο 150mm έως 300mm βιώνει ομοιόμορφη αύξηση της θερμοκρασίας και ισορροπία σταθερής κατάστασης, μεταφράζοντας άμεσα σε στενότερες κατανομές κριτικής (CD) και υψηλότερες αποδόσεις συσκευών.

Το τυλιγμένο γύρω από αυτό το εξαιρετικά έντονο γραφίτη είναι ένα συμμορφωμένο στρώμα πυριτίου -καρβιδίου που συν -εκτοξεύεται σε ένα φούρνο CVD υψηλής θερμοκρασίας. Η επικάλυψη SIC - χημικά αδρανή έως 2.000 ° C και διαθέτει μικρο -άσχημα μικρότερο από 0,1% - μορφοποιεί μια αδιαμφισβήτητη ασπίδα έναντι ριζών φθορίου, χλωρίου και βρωμίου που είναι κοινές σε χημικές ουσίες ICP υψηλής πυκνότητας. Οι δοκιμές αντοχής μακράς διαρροής σε cf₄/o₂, cl₂/bcl₃ και hbr/he πλάσματα έχουν επιδείξει ποσοστά διάβρωσης κάτω από 0,3 μmper100hours, επεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής του φορέα πολύ πέρα από τα πρότυπα της βιομηχανίας και δραστικά μείωση του χρόνου διακοπής της προληπτικής διατήρησης.

Η διαστάσεων ακρίβεια είναι εξίσου ασυμβίβαστη: η επιφανειακή επιφάνεια ελέγχεται εντός ± 5 μm σε ολόκληρη την περιοχή τσέπης, ενώ τα χαρακτηριστικά αποκλεισμού άκρων μειώνονται για να προστατεύσουν την περιτόμετρο από μικρο -θήκες. Η σφιχτή ανοχή, σε συνδυασμό με τη σκληρότητα του SIC επικάλυψης, αντιστέκεται στην παραγωγή σωματιδίων κάτω από μηχανική σύσφιξη και κύκλους ηλεκτροστατικής chuck, διασφαλίζοντας τις διεργασίες κόμβων υπο -10NM από τη μόλυνση του ελαττώματος των δολοφόνων. Για τους αντιδραστήρες ICP υψηλής ισχύος, η χαμηλή ηλεκτρική αντίσταση του φορέα (<40μΩ · m) προάγει την ταχεία σταθεροποίηση του εδάφους RF, ελαχιστοποιώντας τις διακυμάνσεις της τάσης της θήκης που μπορούν διαφορετικά να διαβρώσουν τα προφίλ φωτοαντιγραφής ή να προκαλέσουν μικρο -μάσκες.

Κάθε παρτίδα των μεταφορέων ημι -ακροατών υφίσταται ολοκληρωμένη χαρτογράφηση μετρολογίας - Raman για την επαλήθευση της κρυσταλλογραφικής ευθυγράμμισης γραφίτη, της διασταύρωσης SEM για την επιβεβαίωση της ακεραιότητας του στρώματος SIC και της ανάλυσης υπολειμμάτων για να πιστοποιήσει τα κατώτατα όρια ακαταμάχητης PPM. Επειδή επιμένουμε στην παραγωγή μικρο -χαστούκων (λιγότερα από 20 τεμάχια ανά διαδρομή), τα στατιστικά διαγράμματα ελέγχου των διαδικασιών παραμένουν εξαιρετικά σφιχτά, επιτρέποντάς μας να εγγυηθούμε την αναπαραγωγιμότητα των πλακιδίων που δεν μπορούν να ταιριάξουν με την αναπαραγωγή των προμηθευτών μάζας. Οι προσαρμοσμένες γεωμετρίες, τα βάθη τσέπης και τα κανάλια ψύξης πίσω είναι διαθέσιμα με χρόνους παράδοσης τόσο μικρούς όσο και τρεις εβδομάδες, ενδυναμώντας τους ΚΑΕ για εξοπλισμό και τα υψηλά επίπεδα για τη βελτιστοποίηση των συνταγών του θαλάμου χωρίς να επανασχεδιάζουν ολόκληρες στοίβες υλικού.

Με την ένωση του ανισότροπου γραφίτη παγκόσμιας κλάσης με μια θωράκιση Hermetic SIC, ο ημιτελικός φορέας SIC για το ICP παρέχει τα FAB με μια μακρόχρονη, μολυσματική και θερμικά ομοιόμορφη πλατφόρμα - ένα που όχι μόνο αντέχει τα πιο σκληρά περιβάλλοντα πλάσματος, αλλά ενισχύει ενεργά την καθυστέρηση παραθύρων και την απόδοση της διαδρομής. Για τους κατασκευαστές συσκευών που αγωνίζονται προς τα συνεχώς ζεστά έξοδα, τα πιο απότομα προφίλ και το χαμηλότερο κόστος ιδιοκτησίας, είναι ο φορέας επιλογής όπου κάθε μικρού, κάθε δίσκο και κάθε ώρα των uptime.