Προϊόντα
ICP Etching Carrier με επικάλυψη SiC
  • ICP Etching Carrier με επικάλυψη SiCICP Etching Carrier με επικάλυψη SiC
  • ICP Etching Carrier με επικάλυψη SiCICP Etching Carrier με επικάλυψη SiC
  • ICP Etching Carrier με επικάλυψη SiCICP Etching Carrier με επικάλυψη SiC

ICP Etching Carrier με επικάλυψη SiC

Semicorex SiC Coated ICP Etching Carrier σχεδιασμένο ειδικά για εξοπλισμό επιταξίας με υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση στην Κίνα. Τα προϊόντα μας έχουν καλό πλεονέκτημα τιμής και καλύπτουν πολλές από τις αγορές της Ευρώπης και της Αμερικής. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Οι φορείς γκοφρέτας που χρησιμοποιούνται σε φάσεις εναπόθεσης λεπτής μεμβράνης, όπως η επιταξία ή το MOCVD, ή η επεξεργασία χειρισμού πλακιδίων, όπως η χάραξη, πρέπει να αντέχουν σε υψηλές θερμοκρασίες και σκληρό χημικό καθαρισμό. Η Semicorex παρέχει υψηλής καθαρότητας SiC Coated ICP Etching Carrier παρέχει ανώτερη αντοχή στη θερμότητα, ακόμη και θερμική ομοιομορφία για σταθερό πάχος και αντοχή στο στρώμα epi και ανθεκτική χημική αντοχή. Η λεπτή επικάλυψη κρυστάλλου SiC παρέχει μια καθαρή, λεία επιφάνεια, ζωτικής σημασίας για το χειρισμό, καθώς οι παρθένες γκοφρέτες έρχονται σε επαφή με τον υποδοχέα σε πολλά σημεία σε ολόκληρη την περιοχή τους.

Ο φορέας χάραξης ICP με επίστρωση SiC έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αυτό βοηθά στην αποφυγή τυχόν μόλυνσης ή διάχυσης ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας.

Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα για τον φορέα μας με επικάλυψη SiC ICP Etching Carrier.


Παράμετροι φορέα χάραξης ICP με επικάλυψη SiC

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD

Κρυσταλλική Δομή

FCC β φάση

Πυκνότητα

g/cm ³

3.21

Σκληρότητα

Σκληρότητα Vickers

2500

Μέγεθος κόκκου

μm

2~10

Χημική Καθαρότητα

%

99.99995

Θερμοχωρητικότητα

J kg-1 K-1

640

Θερμοκρασία εξάχνωσης

2700

Καμπυλική δύναμη

MPa (RT 4 σημείων)

415

Young's Modulus

Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)

430

Θερμική Διαστολή (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300


Χαρακτηριστικά του φορέα χάραξης ICP με επικάλυψη SiC υψηλής καθαρότητας

- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια

Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C

Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.

Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.

- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου

- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ

- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών




Hot Tags: SiC Coated ICP Etching Carrier, Κίνα, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Μαζικό, Προηγμένο, Ανθεκτικό
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept