- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Νέα
Μια σύντομη ιστορία του καρβιδίου του πυριτίου και των εφαρμογών των επιστρώσεων καρβιδίου του πυριτίου
Η ιστορία του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) χρονολογείται από το 1891, όταν ο Edward Goodrich Acheson το ανακάλυψε κατά λάθος ενώ προσπαθούσε να συνθέσει τεχνητά διαμάντια. Ο Acheson θέρμανε ένα μείγμα αργίλου (αλουμινοπυριτικό) και κονιοποιημένο οπτάνθρακα (άνθρακας) σε ηλεκτρικό κλίβανο. Αντί για τ......
Διαβάστε περισσότερα
Δυσκολίες στην προετοιμασία του GaN
Ως υλικό ημιαγωγών τρίτης γενιάς, το νιτρίδιο του γαλλίου συγκρίνεται συχνά με το καρβίδιο του πυριτίου. Το νιτρίδιο του γαλλίου εξακολουθεί να επιδεικνύει την ανωτερότητά του με το μεγάλο διάκενο ζώνης, την υψηλή τάση διάσπασης, την υψηλή θερμική αγωγιμότητα, την υψηλή ταχύτητα μετατόπισης κορεσμέν......
Διαβάστε περισσότερα
Εισαγωγή στους ημιαγωγούς τρίτης γενιάς: GaN και σχετικές επιταξιακές τεχνολογίες
Τα υλικά GaN απέκτησαν εξέχουσα θέση μετά την απονομή του Βραβείου Νόμπελ Φυσικής 2014 για μπλε LED. Οι ενισχυτές ισχύος που βασίζονται σε GaN και οι συσκευές ραδιοσυχνοτήτων, που εισέρχονταν αρχικά στο κοινό μέσω εφαρμογών γρήγορης φόρτισης στα ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης, έχουν επίσης εμφ......
Διαβάστε περισσότερα
Υπόστρωμα εναντίον Επιτάξεως: Βασικοί Ρόλοι στην Κατασκευή Ημιαγωγών
Στη σφαίρα της τεχνολογίας ημιαγωγών και της μικροηλεκτρονικής, οι έννοιες των υποστρωμάτων και της επιταξίας έχουν σημαντική σημασία. Παίζουν κρίσιμους ρόλους στη διαδικασία κατασκευής συσκευών ημιαγωγών. Αυτό το άρθρο θα εμβαθύνει στις διαφορές μεταξύ των υποστρωμάτων ημιαγωγών και της επιταξίας, ......
Διαβάστε περισσότερα
Βασικές Παράμετροι Υποστρωμάτων Καρβιδίου του Πυριτίου (SiC).
Η διαδικασία παραγωγής καρβιδίου του πυριτίου (SiC) περιλαμβάνει την προετοιμασία του υποστρώματος και της επιταξίας από την πλευρά των υλικών, ακολουθούμενη από το σχεδιασμό και την κατασκευή τσιπ, τη συσκευασία συσκευών και, τέλος, τη διανομή σε αγορές κατάντη εφαρμογών. Μεταξύ αυτών των σταδίων, ......
Διαβάστε περισσότερα
