- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Νέα
Εισαγωγή στους ημιαγωγούς τρίτης γενιάς: GaN και σχετικές επιταξιακές τεχνολογίες
Τα υλικά GaN απέκτησαν εξέχουσα θέση μετά την απονομή του Βραβείου Νόμπελ Φυσικής 2014 για μπλε LED. Οι ενισχυτές ισχύος που βασίζονται σε GaN και οι συσκευές ραδιοσυχνοτήτων, που εισέρχονταν αρχικά στο κοινό μέσω εφαρμογών γρήγορης φόρτισης στα ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης, έχουν επίσης εμφ......
Διαβάστε περισσότερα
Υπόστρωμα εναντίον Επιτάξεως: Βασικοί Ρόλοι στην Κατασκευή Ημιαγωγών
Στη σφαίρα της τεχνολογίας ημιαγωγών και της μικροηλεκτρονικής, οι έννοιες των υποστρωμάτων και της επιταξίας έχουν σημαντική σημασία. Παίζουν κρίσιμους ρόλους στη διαδικασία κατασκευής συσκευών ημιαγωγών. Αυτό το άρθρο θα εμβαθύνει στις διαφορές μεταξύ των υποστρωμάτων ημιαγωγών και της επιταξίας, ......
Διαβάστε περισσότερα
Βασικές Παράμετροι Υποστρωμάτων Καρβιδίου του Πυριτίου (SiC).
Η διαδικασία παραγωγής καρβιδίου του πυριτίου (SiC) περιλαμβάνει την προετοιμασία του υποστρώματος και της επιταξίας από την πλευρά των υλικών, ακολουθούμενη από το σχεδιασμό και την κατασκευή τσιπ, τη συσκευασία συσκευών και, τέλος, τη διανομή σε αγορές κατάντη εφαρμογών. Μεταξύ αυτών των σταδίων, ......
Διαβάστε περισσότερα
Κλίβανος ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου (SiC).
Η ανάπτυξη κρυστάλλων είναι ο βασικός κρίκος στην παραγωγή υποστρωμάτων από καρβίδιο του πυριτίου και ο βασικός εξοπλισμός είναι ο κλίβανος ανάπτυξης κρυστάλλων. Παρόμοια με τους παραδοσιακούς κλιβάνους ανάπτυξης κρυστάλλων ποιότητας κρυσταλλικού πυριτίου, η δομή του κλιβάνου δεν είναι πολύ περίπλοκ......
Διαβάστε περισσότερα
Προκλήσεις εφαρμογής και ανάπτυξης εξαρτημάτων γραφίτη με επικάλυψη TaC
Τα υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης τρίτης γενιάς, όπως το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) και το καρβίδιο του πυριτίου (SiC), είναι γνωστά για τις εξαιρετικές τους δυνατότητες οπτοηλεκτρονικής μετατροπής και μετάδοσης σήματος μικροκυμάτων. Αυτά τα υλικά ικανοποιούν τις απαιτητικές απαιτήσεις ηλεκτρονικών σ......
Διαβάστε περισσότερα
