> Νέα > Νέα του κλάδου

Νέα του κλάδου

Μέθοδος ανάπτυξης κρυστάλλων GaN

Κατά την παραγωγή υποστρωμάτων μονού κρυστάλλου GaN μεγάλου μεγέθους, το HVPE είναι επί του παρόντος η καλύτερη επιλογή για εμπορευματοποίηση. Ωστόσο, η συγκέντρωση οπίσθιου φορέα του αναπτυσσόμενου GaN δεν μπορεί να ελεγχθεί με ακρίβεια.

Διαβάστε περισσότερα

GaN Single Crystal

Η τεχνολογία ημιαγωγών υπήρξε η ραχοκοκαλιά του σύγχρονου πολιτισμού, μεταμορφώνοντας θεμελιωδώς τον τρόπο που ζούμε, εργαζόμαστε και αλληλεπιδρούμε με τον κόσμο. Έχει επιτρέψει άνευ προηγουμένου προόδους σε διάφορους τομείς, όπως η τεχνολογία των πληροφοριών, η ενέργεια, οι τηλεπικοινωνίες και η υγ......

Διαβάστε περισσότερα

SiC Ceramics: Το απαραίτητο υλικό για εξαρτήματα υψηλής ακρίβειας στην κατασκευή ημιαγωγών

Η κατασκευή ημιαγωγών, ο ακρογωνιαίος λίθος της σύγχρονης τεχνολογικής προόδου, επιδιώκει διαρκώς μικρότερα, ταχύτερα και πιο αποτελεσματικά ολοκληρωμένα κυκλώματα. Αυτή η αδυσώπητη επιδίωξη οδηγεί την ανάγκη για ολοένα και πιο ακριβείς και εξελιγμένες διαδικασίες παραγωγής, όπου κάθε βήμα βασίζεται......

Διαβάστε περισσότερα

Τι είναι ο βαθμός γραφιτοποίησης;

Ο βαθμός γραφιτοποίησης είναι ένα βασικό μέτρο που χρησιμοποιείται για να εκτιμηθεί πόσο κοντά είναι τα άτομα άνθρακα στο σχηματισμό μιας σφιχτά συσκευασμένης εξαγωνικής κρυσταλλικής δομής γραφίτη.

Διαβάστε περισσότερα

Διαδικασία ανάπτυξης λεπτής μεμβράνης

Οι κοινές λεπτές μεμβράνες χωρίζονται κυρίως σε τρεις κατηγορίες: λεπτές μεμβράνες ημιαγωγών, διηλεκτρικές λεπτές μεμβράνες και σύνθετες λεπτές μεμβράνες μετάλλου/μετάλλου.

Διαβάστε περισσότερα

Heteroepitaxy of 3C-SiC: An Overview

Η ανάπτυξη του 3C-SiC, ενός σημαντικού πολυτύπου καρβιδίου του πυριτίου, αντανακλά τη συνεχή πρόοδο της επιστήμης των υλικών ημιαγωγών. Στη δεκαετία του 1980, οι Nishino et al. πέτυχε για πρώτη φορά ένα φιλμ 3C-SiC πάχους 4 μm σε ένα υπόστρωμα πυριτίου χρησιμοποιώντας χημική εναπόθεση ατμού (CVD)[1]......

Διαβάστε περισσότερα

<...13 14 15 16 17...32 >