Επεξεργασία πλινθωμάτων SiC

Ως εκπρόσωπος υλικών ημιαγωγών τρίτης γενιάς, το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) διαθέτει μεγάλο διάκενο ζώνης, υψηλή θερμική αγωγιμότητα, ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης και υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, καθιστώντας το ιδανικό υλικό για συσκευές υψηλής τάσης, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Ξεπερνά αποτελεσματικά τους φυσικούς περιορισμούς των παραδοσιακών συσκευών ημιαγωγών ισχύος με βάση το πυρίτιο και χαιρετίζεται ως υλικό πράσινης ενέργειας που οδηγεί τη «νέα ενεργειακή επανάσταση». Στη διαδικασία κατασκευής συσκευών ισχύος, η ανάπτυξη και η επεξεργασία των μονοκρυσταλλικών υποστρωμάτων SiC είναι κρίσιμης σημασίας για την απόδοση και την απόδοση.

Η μέθοδος PVT είναι η κύρια μέθοδος που χρησιμοποιείται σήμερα στη βιομηχανική παραγωγή για καλλιέργειαΠλίνθοι SiC. Η επιφάνεια και τα άκρα των πλινθωμάτων SiC που παράγονται από τον κλίβανο είναι ακανόνιστα. Πρέπει πρώτα να υποβληθούν σε προσανατολισμό με ακτίνες Χ, εξωτερική έλαση και επιφανειακή λείανση για να σχηματίσουν λείους κυλίνδρους τυπικών διαστάσεων. Αυτό επιτρέπει το κρίσιμο βήμα στην επεξεργασία πλινθωμάτων: τον τεμαχισμό, που περιλαμβάνει τη χρήση τεχνικών κοπής ακριβείας για τον διαχωρισμό του πλινθώματος SiC σε πολλαπλές λεπτές φέτες.

Επί του παρόντος, οι κύριες τεχνικές τεμαχισμού περιλαμβάνουν την κοπή σύρματος με πολτό, την κοπή συρμάτων με διαμάντι και την ανύψωση με λέιζερ. Η κοπή σύρματος πολτού χρησιμοποιεί λειαντικό σύρμα και πολτό για να τεμαχίσει το πλινθίο SiC. Αυτή είναι η πιο παραδοσιακή μέθοδος μεταξύ πολλών προσεγγίσεων. Αν και είναι οικονομικά αποδοτικό, υποφέρει επίσης από αργές ταχύτητες κοπής και μπορεί να αφήσει βαθιά στρώματα ζημιάς στην επιφάνεια του υποστρώματος. Αυτά τα βαθιά στρώματα ζημιάς δεν μπορούν να αφαιρεθούν αποτελεσματικά ακόμη και μετά από επακόλουθες διεργασίες λείανσης και CMP και κληρονομούνται εύκολα κατά τη διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης, με αποτέλεσμα ελαττώματα όπως γρατσουνιές και σκαλοπάτια.

Το πριόνισμα συρμάτων διαμαντιού χρησιμοποιεί σωματίδια διαμαντιού ως λειαντικό, περιστρεφόμενο σε υψηλές ταχύτητες για την κοπήΠλίνθοι SiC. Αυτή η μέθοδος προσφέρει γρήγορες ταχύτητες κοπής και ρηχές επιφανειακές ζημιές, συμβάλλοντας στη βελτίωση της ποιότητας και της απόδοσης του υποστρώματος. Ωστόσο, όπως και το πριόνισμα πολτού, υποφέρει επίσης από τη σημαντική απώλεια υλικού SiC. Η ανύψωση με λέιζερ, από την άλλη πλευρά, χρησιμοποιεί τα θερμικά αποτελέσματα μιας δέσμης λέιζερ για να διαχωρίσει τα πλινθώματα SiC, παρέχοντας κοπές υψηλής ακρίβειας και ελαχιστοποιώντας τη ζημιά στο υπόστρωμα, προσφέροντας πλεονεκτήματα σε ταχύτητα και απώλεια.

Μετά τον προαναφερθέντα προσανατολισμό, την κύλιση, την ισοπέδωση και το πριόνισμα, η ράβδος καρβιδίου του πυριτίου γίνεται μια λεπτή φέτα κρυστάλλου με ελάχιστη στρέβλωση και ομοιόμορφο πάχος. Τα ελαττώματα που προηγουμένως δεν ήταν ανιχνεύσιμα στο ράβδο μπορούν τώρα να ανιχνευθούν για προκαταρκτική ανίχνευση κατά τη διαδικασία, παρέχοντας κρίσιμες πληροφορίες για τον καθορισμό του εάν θα προχωρήσετε στην επεξεργασία του πλακιδίου. Τα κύρια ελαττώματα που εντοπίστηκαν είναι: αδέσποτοι κρύσταλλοι, μικροσωλήνες, εξαγωνικά κενά, εγκλείσματα, μη φυσιολογικό χρώμα μικρών όψεων, πολυμορφισμός κ.λπ. Επιλέγονται πιστοποιημένες γκοφρέτες για το επόμενο βήμα επεξεργασίας πλακιδίων SiC.

Το Semicorex προσφέρει υψηλή ποιότηταΠλίνθοι και γκοφρέτες SiC. Εάν έχετε οποιαδήποτε απορία ή χρειάζεστε πρόσθετες λεπτομέρειες, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.

Τηλέφωνο επικοινωνίας +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com