> Νέα > Νέα του κλάδου

Νέα του κλάδου

Διαδικασία οξείδωσης

Το πιο βασικό στάδιο όλων των διεργασιών είναι η διαδικασία της οξείδωσης. Η διαδικασία οξείδωσης είναι η τοποθέτηση της γκοφρέτας πυριτίου σε μια ατμόσφαιρα οξειδωτικών όπως οξυγόνο ή υδρατμοί για θερμική επεξεργασία υψηλής θερμοκρασίας (800~1200℃) και εμφανίζεται μια χημική αντίδραση στην επιφάνει......

Διαβάστε περισσότερα

Γιατί η Επιταξία Νιτριδίου Γλλίου (GaN) δεν αναπτύσσεται σε ένα υπόστρωμα GaN;

Η ανάπτυξη της επιταξίας GaN στο υπόστρωμα GaN παρουσιάζει μια μοναδική πρόκληση, παρά τις ανώτερες ιδιότητες του υλικού σε σύγκριση με το πυρίτιο. Η επιταξία GaN προσφέρει σημαντικά πλεονεκτήματα όσον αφορά το πλάτος του διακένου ζώνης, τη θερμική αγωγιμότητα και το ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης σε σχέ......

Διαβάστε περισσότερα

Πώς να κάνετε τη διαδικασία CMP

Στη διαδικασία κατασκευής γκοφρέτας πυριτίου, αφού η κρυστάλλινη ράβδος κοπεί σε γκοφρέτες πυριτίου, θα πρέπει να γυαλιστεί και να καθαριστεί για να ληφθεί μια μονόκρυσταλλη γκοφρέτα πυριτίου σαν καθρέφτης.

Διαβάστε περισσότερα

Τι είναι η διαδικασία CMP

Στην κατασκευή ημιαγωγών, η επιπεδότητα ατομικού επιπέδου χρησιμοποιείται συνήθως για να περιγράψει τη συνολική επιπεδότητα του πλακιδίου, με τη μονάδα των νανόμετρων (nm).

Διαβάστε περισσότερα

Διαδικασία εμφύτευσης και διάχυσης ιόντων

Η εμφύτευση ιόντων είναι μια μέθοδος ντόπινγκ ημιαγωγών και μια από τις κύριες διαδικασίες στην κατασκευή ημιαγωγών.

Διαβάστε περισσότερα

Προκλήσεις της τεχνολογίας εμφύτευσης ιόντων σε συσκευές SiC και GaN Power

Οι ημιαγωγοί ευρείας ζώνης (WBG) όπως το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) και το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) αναμένεται να διαδραματίσουν ολοένα σημαντικότερο ρόλο στις ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος. Προσφέρουν πολλά πλεονεκτήματα σε σχέση με τις παραδοσιακές συσκευές πυριτίου (Si), όπως υψηλότερη απόδοση,......

Διαβάστε περισσότερα

<...15 16 17 18 19...31 >