> Νέα

Νέα

Ο κρίσιμος ρόλος των υποστρωμάτων SiC και της ανάπτυξης κρυστάλλων στη βιομηχανία ημιαγωγών

Εντός της αλυσίδας βιομηχανίας καρβιδίου του πυριτίου (SiC), οι προμηθευτές υποστρωμάτων κατέχουν σημαντική μόχλευση, κυρίως λόγω της διανομής αξίας. Τα υποστρώματα SiC αντιπροσωπεύουν το 47% της συνολικής αξίας, ακολουθούμενα από επιταξιακά στρώματα στο 23%, ενώ ο σχεδιασμός και η κατασκευή της συσ......

Διαβάστε περισσότερα

Εφαρμογή SiC και GaN σε ηλεκτρικά οχήματα

Τα SiC MOSFET είναι τρανζίστορ που προσφέρουν υψηλή πυκνότητα ισχύος, βελτιωμένη απόδοση και χαμηλά ποσοστά αστοχίας σε υψηλές θερμοκρασίες. Αυτά τα πλεονεκτήματα των SiC MOSFET αποφέρουν πολυάριθμα οφέλη στα ηλεκτρικά οχήματα (EV), όπως μεγαλύτερη αυτονομία, ταχύτερη φόρτιση και δυνητικά χαμηλότερο......

Διαβάστε περισσότερα

Ημιαγωγοί 4ης Γενιάς Οξείδιο του Γαλίου/β-Ga2O3

Η πρώτη γενιά υλικών ημιαγωγών αντιπροσωπεύεται κυρίως από πυρίτιο (Si) και γερμάνιο (Ge), τα οποία άρχισαν να αυξάνονται τη δεκαετία του 1950. Το γερμάνιο ήταν κυρίαρχο στις πρώτες μέρες και χρησιμοποιήθηκε κυρίως σε τρανζίστορ χαμηλής τάσης, χαμηλής συχνότητας, μέσης ισχύος και φωτοανιχνευτές, αλλ......

Διαβάστε περισσότερα

Επιταξιακή ανάπτυξη και εξαρθρήματα χωρίς ελαττώματα

Η επιταξιακή ανάπτυξη χωρίς ελαττώματα συμβαίνει όταν ένα κρυσταλλικό πλέγμα έχει σχεδόν ίδιες σταθερές πλέγματος με ένα άλλο. Η ανάπτυξη συμβαίνει όταν οι θέσεις πλέγματος των δύο πλεγμάτων στην περιοχή διεπαφής ταιριάζουν κατά προσέγγιση, κάτι που είναι δυνατό με μια μικρή αναντιστοιχία πλέγματος ......

Διαβάστε περισσότερα

Διαδικασία οξείδωσης

Το πιο βασικό στάδιο όλων των διεργασιών είναι η διαδικασία της οξείδωσης. Η διαδικασία οξείδωσης είναι η τοποθέτηση της γκοφρέτας πυριτίου σε μια ατμόσφαιρα οξειδωτικών όπως οξυγόνο ή υδρατμοί για θερμική επεξεργασία υψηλής θερμοκρασίας (800~1200℃) και εμφανίζεται μια χημική αντίδραση στην επιφάνει......

Διαβάστε περισσότερα

Γιατί η Επιταξία Νιτριδίου Γλλίου (GaN) δεν αναπτύσσεται σε ένα υπόστρωμα GaN;

Η ανάπτυξη της επιταξίας GaN στο υπόστρωμα GaN παρουσιάζει μια μοναδική πρόκληση, παρά τις ανώτερες ιδιότητες του υλικού σε σύγκριση με το πυρίτιο. Η επιταξία GaN προσφέρει σημαντικά πλεονεκτήματα όσον αφορά το πλάτος του διακένου ζώνης, τη θερμική αγωγιμότητα και το ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης σε σχέ......

Διαβάστε περισσότερα

<...9 10 11 12 13...30 >