Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου N Semicorex (SiC) είναι ένα υψηλής καθαρότητας, ντοπαρισμένο υλικό SiC ειδικά σχεδιασμένο για προηγμένες εφαρμογές ανάπτυξης κρυστάλλων. Η Semicorex δεσμεύεται να παρέχει ποιοτικά προϊόντα σε ανταγωνιστικές τιμές, ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.
Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου N Semicorex (SiC) είναι ένα υψηλής καθαρότητας, ντοπαρισμένο υλικό SiC ειδικά σχεδιασμένο για προηγμένες εφαρμογές ανάπτυξης κρυστάλλων. Αυτή η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου Ν χαρακτηρίζεται από τις ανώτερες ηλεκτρικές της ιδιότητες και τη δομική της ακεραιότητα, καθιστώντας την ιδανική επιλογή για την παραγωγή κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου που χρησιμοποιούνται σε διάφορες συσκευές ημιαγωγών υψηλής απόδοσης.
Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου Ν είναι εμποτισμένη με άζωτο (Ν), το οποίο εισάγει πρόσθετα ελεύθερα ηλεκτρόνια στο κρυσταλλικό πλέγμα SiC, ενισχύοντας την ηλεκτρική του αγωγιμότητα. Αυτό το ντόπινγκ τύπου Ν είναι ζωτικής σημασίας για εφαρμογές που απαιτούν ακριβείς ηλεκτρονικές ιδιότητες. Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου Ν υφίσταται αυστηρές διαδικασίες καθαρισμού για να επιτευχθεί υψηλό επίπεδο καθαρότητας, ελαχιστοποιώντας την παρουσία ακαθαρσιών που θα μπορούσαν να επηρεάσουν τη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων και την απόδοση του τελικού προϊόντος.
Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου N Semicorex αποτελείται από λεπτά σωματίδια ομοιόμορφου μεγέθους που προάγουν την ομοιόμορφη ανάπτυξη των κρυστάλλων και βελτιώνουν τη συνολική ποιότητα των κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου.
Χρησιμοποιείται κυρίως για την ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου, αυτή η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου τύπου Ν είναι αναπόσπαστο μέρος στην κατασκευή ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής ισχύος, αισθητήρων υψηλής θερμοκρασίας και διαφόρων οπτοηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Είναι επίσης κατάλληλο για χρήση στην έρευνα και ανάπτυξη στη βιομηχανία ημιαγωγών.
Χαρακτηριστικά
Μοντέλο | Καθαρότητα | Πυκνότητα συσκευασίας | Δ10 | D50 | D90 |
SiC-N-S | >6Ν | <1,7 g/cm3 | 100μm | 300μm | 500μm |
SiC-N-M | >6Ν | <1,3 g/cm3 | 500μm | 1000μm | 2000μm |
SiC-N-L | >6Ν | <1,3 g/cm3 | 1000μm | 1500μm | 2500μm |
Εφαρμογές:
Ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου: Χρησιμοποιείται ως υλικό πηγής για την καλλιέργεια κρυστάλλων SiC υψηλής ποιότητας.
Συσκευές ημιαγωγών: Ιδανικές για ηλεκτρονικά εξαρτήματα υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
Ηλεκτρονικά υψηλής θερμοκρασίας: Κατάλληλα για εφαρμογές που απαιτούν στιβαρή απόδοση κάτω από ακραίες συνθήκες.
Οπτοηλεκτρονική: Χρησιμοποιείται σε συσκευές που απαιτούν εξαιρετικές θερμικές και ηλεκτρικές ιδιότητες.