Το Semicorex MOCVD Satellite Holder Plate είναι ένας εξαιρετικός φορέας σχεδιασμένος για χρήση στη βιομηχανία ημιαγωγών. Η υψηλή καθαρότητα, η εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση και ακόμη και το θερμικό προφίλ το καθιστούν εξαιρετική επιλογή για όσους αναζητούν έναν φορέα που μπορεί να αντέξει τις απαιτήσεις της διαδικασίας κατασκευής ημιαγωγών. Δεσμευόμαστε να παρέχουμε στους πελάτες μας προϊόντα υψηλής ποιότητας που ανταποκρίνονται στις συγκεκριμένες απαιτήσεις τους. Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με την πλάκα στήριξης δορυφόρου MOCVD και πώς μπορούμε να σας βοηθήσουμε με τις ανάγκες σας στην κατασκευή ημιαγωγών.
Το Semicorex MOCVD Satellite Holder Plate είναι ένας φορέας υψηλής ποιότητας σχεδιασμένος για χρήση στη βιομηχανία ημιαγωγών. Το προϊόν μας είναι επικαλυμμένο με καρβίδιο του πυριτίου υψηλής καθαρότητας σε γραφίτη, καθιστώντας το εξαιρετικά ανθεκτικό στην οξείδωση σε υψηλές θερμοκρασίες έως και 1600°C. Η διαδικασία εναπόθεσης χημικών ατμών CVD που χρησιμοποιείται στην κατασκευή του εξασφαλίζει υψηλή καθαρότητα και εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση, καθιστώντας το ιδανικό για χρήση σε περιβάλλοντα καθαρού δωματίου.
Τα χαρακτηριστικά της πλάκας στήριξης δορυφόρου MOCVD είναι εντυπωσιακά. Η πυκνή του επιφάνεια και τα λεπτά σωματίδια ενισχύουν την αντοχή του στη διάβρωση, καθιστώντας το ανθεκτικό σε οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια. Αυτός ο φορέας είναι εξαιρετικά σταθερός, ακόμη και σε ακραία περιβάλλοντα, καθιστώντας τον μια εξαιρετική επιλογή για όσους αναζητούν έναν φορέα που μπορεί να αντέξει τις απαιτήσεις της βιομηχανίας ημιαγωγών.
Παράμετροι πλάκας συγκράτησης δορυφόρου MOCVD
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC |
||
Ιδιότητες SiC-CVD |
||
Κρυσταλλική Δομή |
FCC β φάση |
|
Πυκνότητα |
g/cm ³ |
3.21 |
Σκληρότητα |
Σκληρότητα Vickers |
2500 |
Μέγεθος κόκκου |
μm |
2~10 |
Χημική Καθαρότητα |
% |
99.99995 |
Θερμοχωρητικότητα |
J kg-1 K-1 |
640 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης |
℃ |
2700 |
Καμπτική δύναμη |
MPa (RT 4 σημείων) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) |
430 |
Θερμική Διαστολή (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Θερμική αγωγιμότητα |
(W/mK) |
300 |
Χαρακτηριστικά του SiC Coated Graphite Susceptor για MOCVD
- Αποφύγετε το ξεφλούδισμα και εξασφαλίστε την επικάλυψη σε όλη την επιφάνεια
Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία: Σταθερό σε υψηλές θερμοκρασίες έως 1600°C
Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με εναπόθεση χημικών ατμών CVD υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.
Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, πυκνή επιφάνεια και λεπτά σωματίδια.
Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, άλατα και οργανικά αντιδραστήρια.
- Επιτύχετε το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου
- Εγγύηση ομοιομορφίας του θερμικού προφίλ
- Αποτρέψτε τυχόν μόλυνση ή διάχυση ακαθαρσιών