Δακτύλιοι εισόδου MOCVD

Η Semicorex είναι μεγάλης κλίμακας κατασκευαστής και προμηθευτής γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου στην Κίνα. Οι δακτύλιοι εισόδου MOCVD έχουν ένα καλό πλεονέκτημα τιμής και καλύπτουν πολλές από τις αγορές της Ευρώπης και της Αμερικής. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροχρόνιος συνεργάτης σας.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Η Semicorex παρέχει Δακτυλίους εισόδου MOCVD που χρησιμοποιούνται στην εναπόθεση και την επεξεργασία πλακιδίων, τα οποία είναι πραγματικά σταθερά για RTA, RTP ή σκληρό χημικό καθαρισμό. Οι δακτύλιοι εισόδου MOCVD έχουν κατασκευή γραφίτη με επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου (SiC) υψηλής καθαρότητας, η οποία παρέχει ανώτερη αντοχή στη θερμότητα, ακόμη και θερμική ομοιομορφία για σταθερό πάχος και αντοχή στο στρώμα epi και ανθεκτική χημική αντοχή. Η λεπτή επικάλυψη κρυστάλλου SiC παρέχει μια καθαρή, λεία επιφάνεια, ζωτικής σημασίας για το χειρισμό, καθώς οι παρθένες γκοφρέτες έρχονται σε επαφή με τον υποδοχέα σε πολλά σημεία σε ολόκληρη την περιοχή τους.

Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών δακτυλίων εισόδου MOCVD, δίνουμε προτεραιότητα στην ικανοποίηση των πελατών και παρέχουμε οικονομικά αποδοτικές λύσεις. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα υψηλής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

Παράμετροι Δακτυλίων εισόδου MOCVD

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπτική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300