Το Semicorex End Effector για Χειρισμό Γκοφρέτας είναι διαστατικά ακριβές και θερμικά σταθερό για επεξεργασία γκοφρέτας. Είμαστε κατασκευαστής και προμηθευτής στοιχείων επίστρωσης καρβιδίου του πυριτίου για πολλά χρόνια. Τα προϊόντα μας έχουν καλό πλεονέκτημα τιμής και καλύπτουν το μεγαλύτερο μέρος της ευρωπαϊκής και αμερικανικής αγοράς. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.
Το Semicorex End Effector for Wafer Handling είναι διαστατικά ακριβές και θερμικά σταθερό, ενώ έχει μια λεία, ανθεκτική στην τριβή μεμβράνη επίστρωσης CVD SiC για ασφαλή χειρισμό των γκοφρετών χωρίς να καταστρέφει συσκευές ή να προκαλεί σωματιδιακή μόλυνση, η οποία μπορεί να μετακινήσει τις γκοφρέτες ημιαγωγών μεταξύ θέσεων στον εξοπλισμό επεξεργασίας γκοφρετών και στους φορείς με ακρίβεια και αποτελεσματικότητα. Η επίστρωση από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) υψηλής καθαρότητας End Effector for Wafer Handling παρέχει ανώτερη αντοχή στη θερμότητα, ακόμη και θερμική ομοιομορφία για σταθερό πάχος και αντοχή στο στρώμα epi και ανθεκτική χημική αντοχή.
Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Το End Effector μας για χειρισμό γκοφρέτας έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.
Παράμετροι End Effector για Χειρισμό Wafer
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC |
||
Ιδιότητες SiC-CVD |
||
Κρυσταλλική Δομή |
FCC β φάση |
|
Πυκνότητα |
g/cm ³ |
3.21 |
Σκληρότητα |
Σκληρότητα Vickers |
2500 |
Μέγεθος κόκκου |
μm |
2~10 |
Χημική Καθαρότητα |
% |
99.99995 |
Θερμοχωρητικότητα |
J kg-1 K-1 |
640 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης |
℃ |
2700 |
Καμπυλική δύναμη |
MPa (RT 4 σημείων) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) |
430 |
Θερμική Διαστολή (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Θερμική αγωγιμότητα |
(W/mK) |
300 |
Χαρακτηριστικά του End Effector for Wafer Handling
Υψηλής καθαρότητας επίστρωση SiC που χρησιμοποιείται μέθοδος CVD
Ανώτερη αντοχή στη θερμότητα & θερμική ομοιομορφία
Λεπτή επικάλυψη κρυστάλλου SiC για λεία επιφάνεια
Υψηλή αντοχή στον χημικό καθαρισμό
Το υλικό είναι σχεδιασμένο έτσι ώστε να μην εμφανίζονται ρωγμές και αποκόλληση.