6 "κάτοχοι πλακιδίων

Οι κάτοχοι πλακιδίων Semicorex 6 "είναι ειδικά σχεδιασμένοι για να πληρούν τις απαιτητικές απαιτήσεις των επιταξιακών διεργασιών επιταξιακής ανάπτυξης SIC (Silicon Carbide).

Κατά τη διάρκεια της διαδικασίας κατασκευής πλακιδίων, ορισμένα υποστρώματα πλακιδίων πρέπει να κατασκευάσουν περαιτέρω επιταξιακά στρώματα για να διευκολυνθούν η κατασκευή συσκευών. Τα τυπικά παραδείγματα περιλαμβάνουν συσκευές εκπομπής φωτός LED, τα οποία απαιτούν την παρασκευή επιταξιακών στρωμάτων GaAs σε υποστρώματα πυριτίου. Τα επιταξιακά στρώματα SIC καλλιεργούνται σε αγώγιμα υποστρώματα SIC για την κατασκευή συσκευών όπως SBD και MOSFETs για υψηλή τάση, υψηλό ρεύμα και άλλες εφαρμογές ισχύος. Τα επιταξιακά στρώματα GAN κατασκευάζονται σε ημι-οικοδομικά υποστρώματα SIC για την περαιτέρω κατασκευή HEMT και άλλες συσκευές για επικοινωνίες και άλλες εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων. Αυτή η διαδικασία είναι αδιαχώριστη από τον εξοπλισμό CVD.

Στον εξοπλισμό CVD, το υπόστρωμα δεν μπορεί να τοποθετηθεί απευθείας σε μέταλλο ή απλά σε βάση για επιταξιακή εναπόθεση, επειδή περιλαμβάνει διάφορους παράγοντες όπως η κατεύθυνση της ροής αερίου (οριζόντια, κάθετη), η θερμοκρασία, η πίεση, η σταθεροποίηση και η πτώση των ρύπων. Επομένως, απαιτείται βάση και στη συνέχεια το υπόστρωμα τοποθετείται σε δίσκο και στη συνέχεια εκτελείται επιταξιακή εναπόθεση στο υπόστρωμα χρησιμοποιώντας τεχνολογία CVD. Αυτή η βάση είναι έναΕπικαλυμμένος με SICΒάση γραφίτη (6 "κάτοχοι πλακιδίων).

Οι κάτοχοι πλακιδίων 6 "βελτιστοποιούνται για εξαιρετική θερμική διαχείριση, εξασφαλίζοντας ομοιόμορφη κατανομή θερμότητας σε όλη την επιφάνεια του δίσκου, αυτό έχει ως αποτέλεσμα βελτιωμένη ομοιομορφία στρώματος, μειωμένη πυκνότητα ελαττωμάτων και ενισχυμένη συνολική απόδοση κατά τη διάρκεια της επιταξιακής ανάπτυξης.

Είτε διεξάγετε έρευνα και ανάπτυξη ή πλήρη παραγωγή συσκευών ισχύος που βασίζονται σε SIC, οι κάτοχοι πλακιδίων 6 "παρέχουν την ισχυρή απόδοση και την αξιοπιστία που απαιτούνται για τη μεγιστοποίηση της αποτελεσματικότητάς σας.