Επικαλυμμένο με SiC Crystal Growth Susceptor

Με το υψηλό σημείο τήξης, την αντοχή στην οξείδωση και την αντίσταση στη διάβρωση, το Semicorex-Coated Crystal Growth Susceptor είναι η ιδανική επιλογή για χρήση σε εφαρμογές ανάπτυξης μονού κρυστάλλου. Η επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου παρέχει εξαιρετικές ιδιότητες επιπεδότητας και κατανομής θερμότητας, καθιστώντας το ιδανική επιλογή για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το Semicorex SiC-Coated Crystal Growth Susceptor είναι η τέλεια επιλογή για σχηματισμό επιταξιακού στρώματος σε γκοφρέτες ημιαγωγών, χάρη στην εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και τις ιδιότητες κατανομής της θερμότητας. Η επικάλυψη SiC υψηλής καθαρότητας παρέχει ανώτερη προστασία ακόμη και στα πιο απαιτητικά περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και διαβρωτικά.
Ο επικαλυμμένος με SiC Crystal Growth Susceptor έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροή αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αυτό βοηθά στην αποφυγή τυχόν μόλυνσης ή διάχυσης ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας.
Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με το επικαλυμμένο με SiC Crystal Growth Susceptor.

Παράμετροι Επικαλυμμένου με SiC Crystal Growth Susceptor

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπυλική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά του επικαλυμμένου με SiC Crystal Growth Susceptor

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.