Σπίτι > Προϊόντα > Επικαλυμμένο με καρβίδιο πυριτίου > Barrel Susceptor > Επικαλυμμένο με SiC βαρέλι γραφίτη

Προϊόντα

Επικαλυμμένο με SiC βαρέλι γραφίτη

Επικαλυμμένο με SiC βαρέλι γραφίτη

Αν ψάχνετε για έναν γραφίτη υψηλής απόδοσης για χρήση σε εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών, το Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor είναι η ιδανική επιλογή. Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και οι ιδιότητες κατανομής της θερμότητας το καθιστούν την καλύτερη επιλογή για αξιόπιστη και σταθερή απόδοση σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και διαβρωτικά.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor είναι η τέλεια επιλογή για εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών που απαιτούν εξαιρετική κατανομή θερμότητας και θερμική αγωγιμότητα. Η επίστρωση SiC υψηλής καθαρότητας και η ανώτερη πυκνότητά του παρέχουν ανώτερες ιδιότητες προστασίας και διανομής θερμότητας, διασφαλίζοντας αξιόπιστη και σταθερή απόδοση ακόμη και στα πιο δύσκολα περιβάλλοντα.

Η επικάλυψη βαρελιού γραφίτη με επίστρωση SiC έχει σχεδιαστεί για να επιτυγχάνει το καλύτερο μοτίβο στρωτή ροής αερίου, διασφαλίζοντας ομοιόμορφο θερμικό προφίλ. Αυτό βοηθά στην αποφυγή τυχόν μόλυνσης ή διάχυσης ακαθαρσιών, διασφαλίζοντας υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη στο τσιπ της γκοφρέτας.

Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με το επικαλυμμένο SiC Graphite Barrel Susceptor.


Παράμετροι επικαλυμμένου με SiC επικαλυμμένο βαρέλι γραφίτη

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD

Κρυσταλλική Δομή

Φάση FCC β

Πυκνότητα

g/cm ³

3.21

Σκληρότητα

Σκληρότητα Vickers

2500

Μέγεθος κόκκου

Μ¼ μ

2~10

Χημική Καθαρότητα

%

99.99995

Θερμοχωρητικότητα

J·kg-1·K-1

640

Θερμοκρασία εξάχνωσης

2700

Καμπυλική δύναμη

MPa (RT 4 σημείων)

415

Ενότητα Youngâ s

Gpa (κάμψη 4 pt, 1300â)

430

Θερμική Διαστολή (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300


Χαρακτηριστικά του επικαλυμμένου SiC Graphite Barrel Susceptor

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.






Hot Tags: Επικαλυμμένο με SiC Graphite Barrel Susceptor, Κίνα, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Μαζικό, Προηγμένο, Ανθεκτικό

Σχετική Κατηγορία

Αποστολή Ερώτησης

Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept