Επικαλυμμένο με SiC Barrel Susceptor για LPE Epitaxial Growth

Το SiC Coated Barrel Susceptor για LPE Epitaxial Growth είναι ένα υψηλής ποιότητας και αξιόπιστο προϊόν που παρέχει εξαιρετική σχέση ποιότητας-τιμής. Η αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, ακόμη και το θερμικό προφίλ και η πρόληψη της μόλυνσης το καθιστούν ιδανική επιλογή για την ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων υψηλής ποιότητας σε τσιπς γκοφρέτας. Οι χαμηλές απαιτήσεις συντήρησης και η δυνατότητα προσαρμογής του το καθιστούν ένα εξαιρετικά ανταγωνιστικό προϊόν στην αγορά.

Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με το επικαλυμμένο SiC Barrel Susceptor για LPE Epitaxial Growth.

Παράμετροι επικάλυψης βαρελιού με επικάλυψη SiC για επιταξιακή ανάπτυξη LPE

Χαρακτηριστικά του SiC Coated Barrel Susceptor για LPE Epitaxial Growth

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.