Επικαλυμμένο με SiC Barrel Susceptor για επιταξιακή ανάπτυξη

Το Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for Epitaxial Growth είναι η τέλεια επιλογή για σχηματισμό επιξιακής στιβάδας σε γκοφρέτες ημιαγωγών, χάρη στην εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και τις ιδιότητες κατανομής της θερμότητας. Η επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου παρέχει ανώτερη προστασία ακόμη και στα πιο απαιτητικά περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και διαβρωτικά.

Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Το επικαλυμμένο SiC Barrel Susceptor για επιταξιακή ανάπτυξη έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

Παράμετροι επικαλυμμένου με SiC βαρέλι Susceptor για επιταξιακή ανάπτυξη

Χαρακτηριστικά του επικαλυμμένου SiC Barrel Susceptor για επιταξιακή ανάπτυξη

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.