SiC Barrel for Silicon Epitaxy

Το Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας υλικό γραφίτη επικαλυμμένο με καρβίδιο του πυριτίου (SiC). Αυτή η μοναδική κατασκευή εξασφαλίζει εξαιρετική αντοχή σε θερμικές κρούσεις και χημική υποβάθμιση, παρατείνοντας τη διάρκεια ζωής του υποδοχέα και διατηρώντας την αξιοπιστία της διαδικασίας.

Η προηγμένη επίστρωση SiC στο SiC Barrel For Silicon Epitaxy παρέχει ανώτερη θερμική αγωγιμότητα και κατανομή θερμότητας, προάγοντας ομοιόμορφα προφίλ θερμοκρασίας σε όλο τον υποδοχέα. Αυτό ενισχύει τον έλεγχο της διαδικασίας, ελαχιστοποιεί τις θερμικές διαβαθμίσεις και εξασφαλίζει σταθερή ανάπτυξη επιταξιακού στρώματος, με αποτέλεσμα φιλμ πυριτίου υψηλής ποιότητας με εξαιρετική ομοιομορφία και καθαρότητα.

Το SiC Barrel For Silicon Epitaxy μπορεί να προσαρμοστεί ώστε να ικανοποιεί συγκεκριμένες απαιτήσεις και προτιμήσεις. Από προσαρμογές μεγέθους έως διακυμάνσεις πάχους επίστρωσης, προσφέρουμε ευελιξία στο σχεδιασμό για την προσαρμογή διαφόρων παραμέτρων διαδικασίας και τη βελτιστοποίηση της απόδοσης για συγκεκριμένες εφαρμογές.

Το SiC Barrel For Silicon Epitaxy προσφέρει αξιοπιστία και μακροζωία, μειώνοντας το χρόνο διακοπής λειτουργίας και το κόστος συντήρησης που σχετίζεται με συχνές αντικαταστάσεις. Η στιβαρή του κατασκευή και η εξαιρετική του απόδοση συμβάλλουν στη βελτιωμένη απόδοση της διαδικασίας, ενισχύοντας τελικά την παραγωγικότητα και τη σχέση κόστους-αποτελεσματικότητας για τις εργασίες κατασκευής ημιαγωγών.