Σπίτι > Προϊόντα > Επικαλυμμένο με καρβίδιο πυριτίου > Δέκτης βαρελιού > Δοχείο βαρελιού με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό
Προϊόντα
Δοχείο βαρελιού με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό

Δοχείο βαρελιού με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό

Αν ψάχνετε για ένα υψηλής ποιότητας υποδοχέα γραφίτη επικαλυμμένο με υψηλής καθαρότητας SiC, το Semicorex Barrel Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό είναι η τέλεια επιλογή. Οι εξαιρετικές του ιδιότητες θερμικής αγωγιμότητας και κατανομής θερμότητας το καθιστούν ιδανικό για χρήση σε εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το Semicorex Barrel Susceptor with SiC Coating in Semiconductor είναι ένα προϊόν γραφίτη υψηλής ποιότητας επικαλυμμένο με SiC υψηλής καθαρότητας, καθιστώντας το την ιδανική επιλογή για χρήση σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και διαβρωτικά. Η εξαιρετική του πυκνότητα και η θερμική αγωγιμότητα παρέχουν εξαιρετική κατανομή θερμότητας και προστασία σε εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών.
Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Το Barrel Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.


Παράμετροι βαρελιού Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD

Κρυσταλλική Δομή

FCC β φάση

Πυκνότητα

g/cm ³

3.21

Σκληρότητα

Σκληρότητα Vickers

2500

Μέγεθος κόκκου

μm

2~10

Χημική Καθαρότητα

%

99.99995

Θερμοχωρητικότητα

J kg-1 K-1

640

Θερμοκρασία εξάχνωσης

2700

Καμπτική δύναμη

MPa (RT 4 σημείων)

415

Young's Modulus

Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)

430

Θερμική Διαστολή (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300


Χαρακτηριστικά του Barrel Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.




Hot Tags: Δοχείο βαρελιού με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό, Κίνα, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Μαζικό, Προηγμένο, Ανθεκτικό
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept