Αν ψάχνετε για ένα υψηλής ποιότητας υποδοχέα γραφίτη επικαλυμμένο με υψηλής καθαρότητας SiC, το Semicorex Barrel Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό είναι η τέλεια επιλογή. Οι εξαιρετικές του ιδιότητες θερμικής αγωγιμότητας και κατανομής θερμότητας το καθιστούν ιδανικό για χρήση σε εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών.
Το Semicorex Barrel Susceptor with SiC Coating in Semiconductor είναι ένα προϊόν γραφίτη υψηλής ποιότητας επικαλυμμένο με SiC υψηλής καθαρότητας, καθιστώντας το την ιδανική επιλογή για χρήση σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και διαβρωτικά. Η εξαιρετική του πυκνότητα και η θερμική αγωγιμότητα παρέχουν εξαιρετική κατανομή θερμότητας και προστασία σε εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών.
Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Το Barrel Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.
Παράμετροι βαρελιού Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC |
||
Ιδιότητες SiC-CVD |
||
Κρυσταλλική Δομή |
FCC β φάση |
|
Πυκνότητα |
g/cm ³ |
3.21 |
Σκληρότητα |
Σκληρότητα Vickers |
2500 |
Μέγεθος κόκκου |
μm |
2~10 |
Χημική Καθαρότητα |
% |
99.99995 |
Θερμοχωρητικότητα |
J kg-1 K-1 |
640 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης |
℃ |
2700 |
Καμπτική δύναμη |
MPa (RT 4 σημείων) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) |
430 |
Θερμική Διαστολή (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Θερμική αγωγιμότητα |
(W/mK) |
300 |
Χαρακτηριστικά του Barrel Susceptor με επίστρωση SiC σε Ημιαγωγό
- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.
- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.
- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.
- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.
- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.