Σύστημα Αντιδραστήρα Επιτάξεως Υγρής Φάσης (LPE).

Το Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System είναι ένα καινοτόμο προϊόν που προσφέρει εξαιρετική θερμική απόδοση, ομοιόμορφο θερμικό προφίλ και ανώτερη πρόσφυση επίστρωσης. Η υψηλή καθαρότητα, η αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία και η αντοχή στη διάβρωση το καθιστούν ιδανική επιλογή για χρήση στη βιομηχανία ημιαγωγών. Οι προσαρμόσιμες επιλογές και η οικονομική του αποδοτικότητα το καθιστούν ένα εξαιρετικά ανταγωνιστικό προϊόν στην αγορά.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το σύστημα αντιδραστήρα υγρής φάσης Epitaxy (LPE) είναι ένα εξαιρετικά αξιόπιστο και ανθεκτικό προϊόν που παρέχει εξαιρετική σχέση ποιότητας-τιμής. Η αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, ακόμη και το θερμικό προφίλ και η πρόληψη της μόλυνσης το καθιστούν ιδανικό για υψηλής ποιότητας ανάπτυξη επιταξιακού στρώματος. Οι χαμηλές απαιτήσεις συντήρησης και η δυνατότητα προσαρμογής του το καθιστούν ένα εξαιρετικά ανταγωνιστικό προϊόν στην αγορά.

Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Το Σύστημα Αντιδραστήρα Επιτάξεως Υγρής Φάσης (LPE) έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα σχετικά με το Σύστημα Αντιδραστήρα Επιτάξεως Υγρής Φάσης (LPE).

Παράμετροι Συστήματος Αντιδραστήρα Επιτάξεως Υγρής Φάσης (LPE).

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπυλική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά του Συστήματος Αντιδραστήρα Επιτάξεως Υγρής Φάσης (LPE).

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.