Σπίτι > Προϊόντα > Επικαλυμμένο με καρβίδιο πυριτίου > Δέκτης βαρελιού > Υποδοχέας βαρελιού με επικάλυψη SiC υψηλής θερμοκρασίας
Προϊόντα
Υποδοχέας βαρελιού με επικάλυψη SiC υψηλής θερμοκρασίας

Υποδοχέας βαρελιού με επικάλυψη SiC υψηλής θερμοκρασίας

Όταν πρόκειται για την κατασκευή ημιαγωγών, το Semicorex High-Temperature SiC-Coated Barrel Susceptor είναι η κορυφαία επιλογή για ανώτερη απόδοση και αξιοπιστία. Η υψηλής ποιότητας επίστρωση SiC και η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα το καθιστούν ιδανικό για χρήση ακόμη και στα πιο απαιτητικά περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και διαβρωτικά.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Το Semicorex High-Temperature SiC-Coated Barrel Susceptor είναι η τέλεια επιλογή για ανάπτυξη μονοκρυστάλλων και άλλες εφαρμογές κατασκευής ημιαγωγών που απαιτούν υψηλή αντοχή στη θερμότητα και τη διάβρωση. Η επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου παρέχει ανώτερες ιδιότητες προστασίας και κατανομής θερμότητας, εξασφαλίζοντας αξιόπιστη και σταθερή απόδοση ακόμη και στα πιο δύσκολα περιβάλλοντα.

Στη Semicorex, επικεντρωνόμαστε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικής κάννης επικαλυμμένης με SiC υψηλής θερμοκρασίας, δίνουμε προτεραιότητα στην ικανοποίηση των πελατών και παρέχουμε οικονομικές λύσεις. Ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα υψηλής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.


Παράμετροι βαρελιού επικαλυμμένου με SiC υψηλής θερμοκρασίας

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC

Ιδιότητες SiC-CVD

Κρυσταλλική Δομή

FCC β φάση

Πυκνότητα

g/cm ³

3.21

Σκληρότητα

Σκληρότητα Vickers

2500

Μέγεθος κόκκου

μm

2~10

Χημική Καθαρότητα

%

99.99995

Θερμοχωρητικότητα

J kg-1 K-1

640

Θερμοκρασία εξάχνωσης

2700

Καμπυλική δύναμη

MPa (RT 4 σημείων)

415

Young's Modulus

Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)

430

Θερμική Διαστολή (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300


Χαρακτηριστικά του βαρελιού επικαλυμμένου με SiC υψηλής θερμοκρασίας Susceptor

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.




Hot Tags: Υψηλής θερμοκρασίας επικάλυψη βαρελιού με επικάλυψη SiC, Κίνα, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Μαζικό, Προηγμένο, Ανθεκτικό
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept