Υψηλής καθαρότητας SiC Cantilever Paddle

Semicorex υψηλής καθαρότητας πρόβολο SiC είναι κατασκευασμένο απόΚεραμικό καρβίδιο πυριτίου, γενικά το SiSiC. Είναι ένα SiC που παράγεται με διαδικασία διήθησης πυριτίου, μια διαδικασία που δίνεικεραμικό καρβίδιο του πυριτίουυλικά καλύτερη αντοχή και απόδοση. Το κουπί προβολέα SiC υψηλής καθαρότητας ονομάζεται από το σχήμα του, είναι μακριά λωρίδα, με πλευρικό ανεμιστήρα. Το σχήμα έχει σχεδιαστεί για τη στήριξη οριζόντιων σκαφών γκοφρέτας σε φούρνο υψηλής θερμοκρασίας.

Χρησιμοποιείται κυρίως στην οξείδωση, τη διάχυση, το RTA/RTP στη διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών. Έτσι, η ατμόσφαιρα είναι οξυγόνο (αντιδραστικό αέριο), άζωτο (αέριο θωράκισης) και μια μικρή ποσότητα υδροχλωρίου. Η θερμοκρασία είναι περίπου 1250°C. Είναι λοιπόν ένα περιβάλλον οξείδωσης υψηλής θερμοκρασίας. Απαιτείται το εξάρτημα σε αυτό το περιβάλλον ανθεκτικό στην οξείδωση και μπορεί να σταθεί σε υψηλή θερμοκρασία.

Το κουπί με πρόβολο SiC υψηλής καθαρότητας Semicorex είναι κατασκευασμένο με τρισδιάστατη εκτύπωση, επομένως είναι μονοκόμματο και μπορεί να καλύψει τις υψηλές απαιτήσεις για μέγεθος και επεξεργασία. Το κουπί πρόβολου θα κατασκευαστεί από 2 μέρη, το σώμα και την επίστρωσή του, το Semicorex μπορεί να παρέχει την περιεκτικότητα σε ακαθαρσίες <300pm για το σώμα και <5ppm για την επίστρωση CVD SiC. Έτσι η επιφάνεια είναι εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας για να αποτρέψει την εισαγωγή ακαθαρσιών και ρύπων. Επίσης το υλικό με υψηλή αντοχή στο θερμικό σοκ, για να διατηρεί το σχήμα σε μεγάλη διάρκεια ζωής.

Η Semicorex εκτελεί πολύτιμη διαδικασία κατασκευής. Σχετικά με το σώμα SiC, προετοιμάζουμε πρώτα την πρώτη ύλη και ανακατεύουμε τη σκόνη SiC, στη συνέχεια κάνουμε τη χύτευση και τη μηχανική κατεργασία στο τελικό σχήμα, μετά θα συντήξουμε το μέρος για να βελτιώσουμε την πυκνότητα και πολλές χημικές ιδιότητες. Το κύριο σώμα έχει διαμορφωθεί και θα κάνουμε την επιθεώρηση του ίδιου του κεραμικού και για να καλύψουμε την απαίτηση διάστασης. Μετά από αυτό θα κάνουμε το σημαντικό καθάρισμα. Τοποθετήστε το κατάλληλο κουπί προβόλου στον εξοπλισμό υπερήχων για καθαρισμό για να αφαιρέσετε τη σκόνη, το λάδι στην επιφάνεια. Μετά τον καθαρισμό, βάλτε το κουπί SiC υψηλής καθαρότητας σε ένα φούρνο στεγνώματος και ψήστε το στους 80-120°C για 4-6 ώρες μέχρι να στεγνώσει το νερό.

Στη συνέχεια μπορούμε να κάνουμε επίστρωση CVD στο σώμα. Η θερμοκρασία επίστρωσης είναι 1200-1500 ℃, και επιλέγεται μια κατάλληλη καμπύλη θέρμανσης. Σε υψηλή θερμοκρασία, η πηγή πυριτίου και η πηγή άνθρακα αντιδρούν χημικά για να δημιουργήσουν σωματίδια SiC νανοκλίμακας. Τα σωματίδια SiC εναποτίθενται συνεχώς στην επιφάνεια του

μέρος για να σχηματίσει ένα πυκνό λεπτό στρώμα SiC. Το πάχος της επίστρωσης είναι γενικά 100±20μm. Μετά το τελείωμα θα οργανωθεί ο τελικός έλεγχος των προϊόντων, για εμφάνιση, καθαρότητα και διαστάσεις προϊόντων κ.λπ.