CVD επιταξιακή εναπόθεση σε αντιδραστήρα κάννης

Το Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor είναι ένα εξαιρετικά ανθεκτικό και αξιόπιστο προϊόν για την ανάπτυξη επιξιακών στρωμάτων σε τσιπς γκοφρέτας. Η αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία και η υψηλή καθαρότητά του το καθιστούν κατάλληλο για χρήση στη βιομηχανία ημιαγωγών. Το ομοιόμορφο θερμικό προφίλ του, το μοτίβο στρωτή ροής αερίου και η πρόληψη μόλυνσης το καθιστούν ιδανική επιλογή για υψηλής ποιότητας ανάπτυξη επιξιακής στιβάδας.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Ο αντιδραστήρας CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor είναι ένα προϊόν υψηλής απόδοσης σχεδιασμένο να παρέχει αξιόπιστη απόδοση σε ακραία περιβάλλοντα. Η ανώτερη πρόσφυση επίστρωσης, η αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία και η αντοχή στη διάβρωση το καθιστούν εξαιρετική επιλογή για χρήση σε σκληρά περιβάλλοντα. Επιπλέον, το ομοιόμορφο θερμικό προφίλ του, το μοτίβο στρωτή ροής αερίου και η πρόληψη της μόλυνσης εξασφαλίζουν την υψηλή ποιότητα της επιξιακής στρώσης.

Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Ο αντιδραστήρας CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

Παράμετροι CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor

Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC
Ιδιότητες SiC-CVD
Κρυσταλλική Δομή	FCC β φάση
Πυκνότητα	g/cm ³	3.21
Σκληρότητα	Σκληρότητα Vickers	2500
Μέγεθος κόκκου	μm	2~10
Χημική Καθαρότητα	%	99.99995
Θερμοχωρητικότητα	J kg-1 K-1	640
Θερμοκρασία εξάχνωσης	℃	2700
Καμπτική δύναμη	MPa (RT 4 σημείων)	415
Young's Modulus	Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃)	430
Θερμική Διαστολή (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Θερμική αγωγιμότητα	(W/mK)	300

Χαρακτηριστικά του CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.

- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.

- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.

- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.

- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.