Το Semicorex Barrel Susceptor Epi System είναι ένα προϊόν υψηλής ποιότητας που προσφέρει ανώτερη πρόσφυση επίστρωσης, υψηλή καθαρότητα και αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία. Το ομοιόμορφο θερμικό του προφίλ, η στρωτή ροή αερίου και η πρόληψη της μόλυνσης το καθιστούν ιδανική επιλογή για την ανάπτυξη επιξικών στρωμάτων σε τσιπς γκοφρέτας. Η σχέση κόστους-αποτελεσματικότητας και η δυνατότητα προσαρμογής του το καθιστούν ένα εξαιρετικά ανταγωνιστικό προϊόν στην αγορά.
Το Barrel Susceptor Epi System είναι ένα εξαιρετικά καινοτόμο προϊόν που προσφέρει εξαιρετική θερμική απόδοση, ομοιόμορφο θερμικό προφίλ και ανώτερη πρόσφυση επίστρωσης. Η υψηλή καθαρότητα, η αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία και η αντοχή στη διάβρωση το καθιστούν ένα εξαιρετικά αξιόπιστο προϊόν για χρήση στη βιομηχανία ημιαγωγών. Η πρόληψη της μόλυνσης και των ακαθαρσιών και οι χαμηλές απαιτήσεις συντήρησης το καθιστούν ένα εξαιρετικά ανταγωνιστικό προϊόν στην αγορά.
Στη Semicorex, εστιάζουμε στην παροχή υψηλής ποιότητας, οικονομικά αποδοτικών προϊόντων στους πελάτες μας. Το Barrel Susceptor Epi System μας έχει πλεονέκτημα τιμής και εξάγεται σε πολλές ευρωπαϊκές και αμερικανικές αγορές. Στόχος μας είναι να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας, παρέχοντας προϊόντα σταθερής ποιότητας και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.
Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα για το Barrel Susceptor Epi System.
Παράμετροι Barrel Susceptor Epi System
Βασικές προδιαγραφές επίστρωσης CVD-SIC |
||
Ιδιότητες SiC-CVD |
||
Κρυσταλλική Δομή |
FCC β φάση |
|
Πυκνότητα |
g/cm ³ |
3.21 |
Σκληρότητα |
Σκληρότητα Vickers |
2500 |
Μέγεθος κόκκου |
μm |
2~10 |
Χημική Καθαρότητα |
% |
99.99995 |
Θερμοχωρητικότητα |
J kg-1 K-1 |
640 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης |
℃ |
2700 |
Καμπτική δύναμη |
MPa (RT 4 σημείων) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (κάμψη 4 pt, 1300℃) |
430 |
Θερμική Διαστολή (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Θερμική αγωγιμότητα |
(W/mK) |
300 |
Χαρακτηριστικά του Barrel Susceptor Epi System
- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν καλή πυκνότητα και μπορούν να παίξουν καλό προστατευτικό ρόλο σε υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα εργασίας.
- Ο επικαλυμμένος υποδοχέας καρβιδίου πυριτίου που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων έχει πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας.
- Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ του υποστρώματος γραφίτη και του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου, βελτιώστε αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης για την αποφυγή ρωγμών και αποκόλλησης.
- Τόσο το υπόστρωμα γραφίτη όσο και το στρώμα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετικές ιδιότητες κατανομής θερμότητας.
- Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση.