> Νέα

Νέα

Ερευνητική πρόοδος επικαλύψεων TaC σε επιφάνειες υλικών με βάση τον άνθρακα

Τα υλικά με βάση τον άνθρακα όπως ο γραφίτης, οι ίνες άνθρακα και τα σύνθετα υλικά άνθρακα/άνθρακα (C/C) είναι γνωστά για την υψηλή ειδική αντοχή, το υψηλό ειδικό μέτρο και τις εξαιρετικές θερμικές ιδιότητες, καθιστώντας τα κατάλληλα για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών σε υψηλές θερμοκρασίες . Αυτά τα υλικ......

Διαβάστε περισσότερα

Ποιες εφαρμογές του υποστρώματος νιτριδίου του γαλλίου (GaN);

Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) είναι ένα σημαντικό υλικό στην τεχνολογία ημιαγωγών, γνωστό για τις εξαιρετικές ηλεκτρονικές και οπτικές του ιδιότητες. Το GaN, ως ημιαγωγός ευρείας ζώνης, έχει ενέργεια διάκενου ζώνης περίπου 3,4 eV, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότη......

Διαβάστε περισσότερα

Μια ανασκόπηση 9 τεχνικών πυροσυσσωμάτωσης για κεραμικά καρβιδίου πυριτίου

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ένα εξέχον δομικό κεραμικό, είναι γνωστό για τις εξαιρετικές του ιδιότητες, όπως αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, σκληρότητα, μέτρο ελαστικότητας, αντοχή στη φθορά, θερμική αγωγιμότητα και αντοχή στη διάβρωση. Αυτά τα χαρακτηριστικά το καθιστούν κατάλληλο για ένα ευρύ φάσ......

Διαβάστε περισσότερα

Τεχνικές προκλήσεις σε φούρνους ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου

Οι φούρνοι ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου (SiC) είναι ο ακρογωνιαίος λίθος της παραγωγής γκοφρέτας SiC. Ενώ μοιράζονται ομοιότητες με τους παραδοσιακούς κλιβάνους ανάπτυξης κρυστάλλων πυριτίου, οι φούρνοι SiC αντιμετωπίζουν μοναδικές προκλήσεις λόγω των ακραίων συνθηκών ανάπτυξης του υλ......

Διαβάστε περισσότερα

Τεχνολογία καθαρισμού γραφίτη σε ημιαγωγό SiC

Ο γραφίτης είναι ζωτικής σημασίας για την παραγωγή ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC), γνωστών για τις εξαιρετικές θερμικές και ηλεκτρικές τους ιδιότητες. Αυτό καθιστά το SiC ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής συχνότητας. Στην κατασκευή ημιαγωγών SiC, ο γραφίτης ......

Διαβάστε περισσότερα

Μέθοδος ανάπτυξης κρυστάλλων GaN

Κατά την παραγωγή υποστρωμάτων μονού κρυστάλλου GaN μεγάλου μεγέθους, το HVPE είναι επί του παρόντος η καλύτερη επιλογή για εμπορευματοποίηση. Ωστόσο, η συγκέντρωση οπίσθιου φορέα του αναπτυσσόμενου GaN δεν μπορεί να ελεγχθεί με ακρίβεια.

Διαβάστε περισσότερα

<...5 6 7 8 9...30 >