- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Εταιρικά Νέα
Υλικό πυρήνα για ανάπτυξη SiC: Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου
Οι τρέχοντες ημιαγωγοί τρίτης γενιάς βασίζονται κατά κύριο λόγο στο καρβίδιο του πυριτίου, με τα υποστρώματα να αντιπροσωπεύουν το 47% του κόστους της συσκευής και η επιταξία να αντιπροσωπεύει το 23%, συνολικά περίπου το 70% και να αποτελεί το πιο κρίσιμο μέρος της βιομηχανίας κατασκευής συσκευών Si......
Διαβάστε περισσότερα
Πλεονεκτήματα των κεραμικών καρβιδίου του πυριτίου στη βιομηχανία οπτικών ινών
Τα κεραμικά καρβιδίου του πυριτίου προσφέρουν πολλά πλεονεκτήματα στη βιομηχανία οπτικών ινών, όπως σταθερότητα σε υψηλή θερμοκρασία, χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής, χαμηλό κατώφλι απώλειας και ζημιάς, μηχανική αντοχή, αντοχή στη διάβρωση, καλή θερμική αγωγιμότητα και χαμηλή διηλεκτρική σταθερ......
Διαβάστε περισσότερα
Μια σύντομη ιστορία του καρβιδίου του πυριτίου και των εφαρμογών των επιστρώσεων καρβιδίου του πυριτίου
Η ιστορία του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) χρονολογείται από το 1891, όταν ο Edward Goodrich Acheson το ανακάλυψε κατά λάθος ενώ προσπαθούσε να συνθέσει τεχνητά διαμάντια. Ο Acheson θέρμανε ένα μείγμα αργίλου (αλουμινοπυριτικό) και κονιοποιημένο οπτάνθρακα (άνθρακας) σε ηλεκτρικό κλίβανο. Αντί για τ......
Διαβάστε περισσότερα
Κλίβανος ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου (SiC).
Η ανάπτυξη κρυστάλλων είναι ο βασικός κρίκος στην παραγωγή υποστρωμάτων από καρβίδιο του πυριτίου και ο βασικός εξοπλισμός είναι ο κλίβανος ανάπτυξης κρυστάλλων. Παρόμοια με τους παραδοσιακούς κλιβάνους ανάπτυξης κρυστάλλων ποιότητας κρυσταλλικού πυριτίου, η δομή του κλιβάνου δεν είναι πολύ περίπλοκ......
Διαβάστε περισσότερα
Προκλήσεις εφαρμογής και ανάπτυξης εξαρτημάτων γραφίτη με επικάλυψη TaC
Τα υλικά ημιαγωγών ευρείας ζώνης τρίτης γενιάς, όπως το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) και το καρβίδιο του πυριτίου (SiC), είναι γνωστά για τις εξαιρετικές τους δυνατότητες οπτοηλεκτρονικής μετατροπής και μετάδοσης σήματος μικροκυμάτων. Αυτά τα υλικά ικανοποιούν τις απαιτητικές απαιτήσεις ηλεκτρονικών σ......
Διαβάστε περισσότερα
Τι είναι ένα σκάφος SiC και ποιες είναι οι διάφορες διαδικασίες κατασκευής του;
Ένα σκάφος SiC, συντομογραφία για το καρβίδιο του πυριτίου, είναι ένα αξεσουάρ ανθεκτικό στις υψηλές θερμοκρασίες που χρησιμοποιείται σε σωλήνες κλιβάνων για τη μεταφορά γκοφρετών κατά την επεξεργασία σε υψηλή θερμοκρασία. Λόγω των εξαιρετικών ιδιοτήτων του καρβιδίου του πυριτίου, όπως η αντοχή σε υ......
Διαβάστε περισσότερα
