Η επιταξιακή ανάπτυξη γκοφρέτας νιτριδίου του γαλλίου (GaN) είναι μια πολύπλοκη διαδικασία, που συχνά χρησιμοποιεί μια μέθοδο δύο σταδίων. Αυτή η μέθοδος περιλαμβάνει πολλά κρίσιμα στάδια, συμπεριλαμβανομένου του ψησίματος σε υψηλή θερμοκρασία, της ανάπτυξης του στρώματος ρυθμιστικού διαλύματος, της......
Διαβάστε περισσότεραΤόσο οι επιταξιακές όσο και οι διάχυτες γκοφρέτες είναι βασικά υλικά στην κατασκευή ημιαγωγών, αλλά διαφέρουν σημαντικά στις διαδικασίες κατασκευής τους και στις εφαρμογές-στόχους. Αυτό το άρθρο εμβαθύνει στις βασικές διακρίσεις μεταξύ αυτών των τύπων γκοφρέτας.
Διαβάστε περισσότεραΗ χάραξη είναι μια ουσιαστική διαδικασία στην κατασκευή ημιαγωγών. Αυτή η διαδικασία μπορεί να κατηγοριοποιηθεί σε δύο τύπους: ξηρή χάραξη και υγρή χάραξη. Κάθε τεχνική έχει τα δικά της πλεονεκτήματα και περιορισμούς, καθιστώντας ζωτικής σημασίας την κατανόηση των διαφορών μεταξύ τους. Λοιπόν, πώς ε......
Διαβάστε περισσότεραΟι τρέχοντες ημιαγωγοί τρίτης γενιάς βασίζονται κατά κύριο λόγο στο καρβίδιο του πυριτίου, με τα υποστρώματα να αντιπροσωπεύουν το 47% του κόστους της συσκευής και η επιταξία να αντιπροσωπεύει το 23%, συνολικά περίπου το 70% και να αποτελεί το πιο κρίσιμο μέρος της βιομηχανίας κατασκευής συσκευών Si......
Διαβάστε περισσότεραΤα κεραμικά καρβιδίου του πυριτίου προσφέρουν πολλά πλεονεκτήματα στη βιομηχανία οπτικών ινών, όπως σταθερότητα σε υψηλή θερμοκρασία, χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής, χαμηλό κατώφλι απώλειας και ζημιάς, μηχανική αντοχή, αντοχή στη διάβρωση, καλή θερμική αγωγιμότητα και χαμηλή διηλεκτρική σταθερ......
Διαβάστε περισσότεραΗ ιστορία του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) χρονολογείται από το 1891, όταν ο Edward Goodrich Acheson το ανακάλυψε κατά λάθος ενώ προσπαθούσε να συνθέσει τεχνητά διαμάντια. Ο Acheson θέρμανε ένα μείγμα αργίλου (αλουμινοπυριτικό) και κονιοποιημένο οπτάνθρακα (άνθρακας) σε ηλεκτρικό κλίβανο. Αντί για τ......
Διαβάστε περισσότερα