Οι περιοχές εφαρμογής του GaN που βασίζεται σε SiC και του GaN που βασίζεται σε Si δεν διαχωρίζονται αυστηρά. Στις συσκευές GaN-On-SiC, το κόστος του υποστρώματος SiC είναι σχετικά υψηλό και με την αυξανόμενη ωριμότητα της τεχνολογίας μακρών κρυστάλλων SiC, το κόστος της συσκευής αναμένεται να μειωθ......
Διαβάστε περισσότεραΗ θερμική επεξεργασία είναι μια από τις βασικές και σημαντικές διαδικασίες στη διαδικασία των ημιαγωγών. Θερμική διαδικασία είναι η διαδικασία εφαρμογής θερμικής ενέργειας σε μια γκοφρέτα τοποθετώντας την σε περιβάλλον γεμάτο με ένα συγκεκριμένο αέριο, συμπεριλαμβανομένης της οξείδωσης/διάχυσης/ανόπ......
Διαβάστε περισσότεραΗ θερμική αγωγιμότητα του όγκου 3C-SiC, που μετρήθηκε πρόσφατα, είναι η δεύτερη υψηλότερη μεταξύ των μεγάλων κρυστάλλων κλίμακας ιντσών, κατατάσσοντας ακριβώς κάτω από το διαμάντι. Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένας ημιαγωγός ευρείας ζώνης που χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές εφαρμογές ......
Διαβάστε περισσότεραΗ Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) της Ταϊβάν έχει ανακοινώσει σχέδια για την κατασκευή μιας βαφρέτας 300 mm στην Ιαπωνία σε συνεργασία με την SBI Holdings. Σκοπός αυτής της συνεργασίας είναι η ενίσχυση της εγχώριας αλυσίδας εφοδιασμού IC (ολοκληρωμένο κύκλωμα) της Ιαπωνίας, με ι......
Διαβάστε περισσότερα