> Νέα

Νέα

Μέθοδος παρασκευής σκόνης SiC

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι μια ανόργανη ουσία. Η ποσότητα του φυσικού καρβιδίου του πυριτίου είναι πολύ μικρή. Είναι ένα σπάνιο ορυκτό και ονομάζεται moissanite. Το καρβίδιο του πυριτίου που χρησιμοποιείται στη βιομηχανική παραγωγή συντίθεται κυρίως τεχνητά.

Διαβάστε περισσότερα

Epitaxial Layers: The Foundation of Advanced Semiconductor Devices

Στη βιομηχανία ημιαγωγών, τα επιταξιακά στρώματα διαδραματίζουν κρίσιμο ρόλο σχηματίζοντας συγκεκριμένες μονοκρυσταλλικές λεπτές μεμβράνες πάνω από ένα υπόστρωμα γκοφρέτας, συλλογικά γνωστά ως επιταξιακές γκοφρέτες. Συγκεκριμένα, επιταξιακά στρώματα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) που αναπτύσσονται σε ......

Διαβάστε περισσότερα

Πορώδης γραφίτης για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC

Επί του παρόντος, οι περισσότεροι κατασκευαστές υποστρώματος SiC χρησιμοποιούν νέο σχεδιασμό διαδικασίας θερμικού πεδίου χωνευτηρίου με πορώδεις κυλίνδρους γραφίτη: τοποθετώντας πρώτες ύλες σωματιδίων SiC υψηλής καθαρότητας μεταξύ του τοιχώματος του χωνευτηρίου γραφίτη και του πορώδους κυλίνδρου γρα......

Διαβάστε περισσότερα

Ο κρίσιμος ρόλος των επιταξιακών στρωμάτων σε συσκευές ημιαγωγών

Η επιταξιακή ανάπτυξη αναφέρεται στη διαδικασία ανάπτυξης ενός κρυσταλλογραφικά καλά διατεταγμένου μονοκρυσταλλικού στρώματος σε ένα υπόστρωμα. Σε γενικές γραμμές, η επιταξιακή ανάπτυξη περιλαμβάνει την καλλιέργεια ενός στρώματος κρυστάλλου σε ένα μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα, με το αναπτυσσόμενο στρώμ......

Διαβάστε περισσότερα

Γνωρίζοντας τον GaN

Πρόσφατα, η βιομηχανία ημιαγωγών συνέχισε να δίνει αυξανόμενη προσοχή στην τεχνολογία νιτριδίου του γαλλίου (GaN). Λόγω των εξαιρετικών ηλεκτρονικών ιδιοτήτων του, οι συσκευές νιτριδίου του γαλλίου έχουν σημαντικές εφαρμογές σε πολλούς τομείς υψηλής τεχνολογίας:

Διαβάστε περισσότερα

Διεργασίες πλάσματος σε λειτουργίες CVD

Η χημική εναπόθεση ατμών (CVD) αναφέρεται σε μια τεχνολογία διεργασίας όπου πολλά αέρια αντιδρώντα σε ποικίλες μερικές πιέσεις υφίστανται μια χημική αντίδραση κάτω από συγκεκριμένες συνθήκες θερμοκρασίας και πίεσης. Η προκύπτουσα στερεά ουσία εναποτίθεται στην επιφάνεια του υλικού του υποστρώματος, ......

Διαβάστε περισσότερα

<...30 31 32 33 34...47 >