GaN Epitaxy Carrier

Το Semicorex GaN Epitaxy Carrier υπερέχει στην ασφαλή μεταφορά πλακών εντός του κλίβανου, ενώ έχει σχεδιαστεί για διεργασίες επιταξίας γκοφρέτας. Το GaN Epitaxy Carrier είναι ζωτικής σημασίας για την επίτευξη υψηλής ποιότητας, αναπαραγώγιμων λεπτών μεμβρανών και επιταξιακών στρωμάτων που είναι απαραίτητα για την παραγωγή προηγμένων ηλεκτρονικών και οπτοηλεκτρονικών συσκευών.

Το υπόστρωμα γραφίτη του GaN Epitaxy Carrier είναι βελτιωμένο με μια επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τελευταίας τεχνολογίας Chemical Vapor Deposition (CVD). Αυτή η στρώση SiC εφαρμόζεται σχολαστικά μέσω εναπόθεσης χημικών ατμών, παρέχοντας ισχυρή προστασία από χημικές αντιδράσεις και φθορά κατά τη διαδικασία της επιταξίας. Επιπλέον, η επίστρωση SiC του  GaN Epitaxy Carrier βελτιώνει τις θερμικές ιδιότητες του φορέα, διευκολύνοντας την αποτελεσματική και ομοιόμορφη θέρμανση των γκοφρετών. Μια τέτοια ομοιόμορφη θέρμανση είναι ζωτικής σημασίας για την παραγωγή σταθερών και υψηλής ποιότητας επιταξιακών στρωμάτων σε γκοφρέτες ημιαγωγών.

Προσαρμόσιμο για να ταιριάζει σε μια ποικιλία μεγεθών γκοφρέτας ημιαγωγών, το Semicorex GaN Epitaxy Carrier είναι μια ευέλικτη λύση για διαφορετικές ανάγκες παραγωγής. Είτε απαιτούνται συγκεκριμένα μεγέθη, σχήματα ή πάχη επίστρωσης, η ομάδα μας συνεργάζεται με πελάτες για να αναπτύξει μια λύση που να πληροί τις ακριβείς προδιαγραφές τους και να βελτιστοποιεί την απόδοση για τις μοναδικές εφαρμογές τους.