Υπόστρωμα Ga2O3

Το Ga2O3 ξεχωρίζει ως ημιαγωγός ευρείας ζώνης, εξασφαλίζοντας σταθερότητα και ανθεκτικότητα σε ακραίες συνθήκες, καθιστώντας το ιδανικό για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής ακτινοβολίας.

Με υψηλή ένταση πεδίου διάσπασης και εξαιρετικές τιμές Baliga, το Ga2O3 υπερέχει σε εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος, προσφέροντας απαράμιλλη αξιοπιστία και χαμηλές απώλειες ισχύος.

Το Ga2O3 ξεπερνά τα παραδοσιακά υλικά με την ανώτερη απόδοση ισχύος του. Οι τιμές Baliga για το Ga2O3 είναι τετραπλάσιες από αυτές του GaN και δέκα φορές αυτές του SiC, που μεταφράζεται σε εξαιρετικά χαρακτηριστικά αγωγιμότητας και απόδοση ισχύος. Οι συσκευές Ga2O3 παρουσιάζουν απώλειες ισχύος μόνο το 1/7ο του SiC και το εντυπωσιακό 1/49 των συσκευών με βάση το πυρίτιο.

Η χαμηλότερη σκληρότητα του Ga2O3 σε σύγκριση με το SiC απλοποιεί τη διαδικασία κατασκευής, με αποτέλεσμα χαμηλότερο κόστος επεξεργασίας. Αυτό το πλεονέκτημα τοποθετεί το Ga2O3 ως μια οικονομικά αποδοτική εναλλακτική λύση για διάφορες εφαρμογές.

Το Ga2O3, που καλλιεργείται με τη χρήση μεθόδου τήξης υγρής φάσης, διαθέτει ανώτερη ποιότητα κρυστάλλου με αξιοσημείωτα χαμηλή πυκνότητα ελαττώματος, ξεπερνώντας τις επιδόσεις του SiC, το οποίο αναπτύσσεται με τη μέθοδο της φάσης ατμού.

Το Ga2O3 παρουσιάζει ρυθμό ανάπτυξης 100 φορές ταχύτερο από το SiC, συμβάλλοντας στην υψηλότερη απόδοση παραγωγής και, κατά συνέπεια, στο μειωμένο κόστος παραγωγής.

Εφαρμογές:

Συσκευές ισχύος: Το υπόστρωμα Ga2O3 είναι έτοιμο να φέρει επανάσταση στις συσκευές ισχύος, προσφέροντας τέσσερις σημαντικές ευκαιρίες:

Μονοπολικές συσκευές που αντικαθιστούν τις διπολικές συσκευές: MOSFET που αντικαθιστούν τα IGBT σε εφαρμογές όπως οχήματα νέας ενέργειας, σταθμοί φόρτισης, τροφοδοτικά υψηλής τάσης, βιομηχανικός έλεγχος ισχύος και άλλα.

Βελτιωμένη ενεργειακή απόδοση: Οι συσκευές τροφοδοσίας υποστρώματος Ga2O3 είναι ενεργειακά αποδοτικές, ευθυγραμμισμένες με στρατηγικές για ουδετερότητα άνθρακα και μέγιστη μείωση των εκπομπών άνθρακα.

Παραγωγή μεγάλης κλίμακας: Με την απλοποιημένη επεξεργασία και την οικονομική κατασκευή τσιπ, το υπόστρωμα Ga2O3 διευκολύνει την παραγωγή μεγάλης κλίμακας.

Υψηλή αξιοπιστία: Το υπόστρωμα Ga2O3 με σταθερές ιδιότητες υλικού και αξιόπιστη δομή το καθιστούν κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής αξιοπιστίας, εξασφαλίζοντας μακροζωία και σταθερή απόδοση.

Συσκευές ραδιοσυχνοτήτων: Το υπόστρωμα Ga2O3 αλλάζει το παιχνίδι στην αγορά συσκευών ραδιοσυχνοτήτων (Radio Frequency). Τα πλεονεκτήματά του περιλαμβάνουν:

Ποιότητα κρυστάλλου: Το υπόστρωμα Ga2O3 επιτρέπει την επιταξιακή ανάπτυξη υψηλής ποιότητας, ξεπερνώντας προβλήματα ασυμφωνίας δικτυωτού πλέγματος που σχετίζονται με άλλα υποστρώματα.

Οικονομική ανάπτυξη: Η οικονομική ανάπτυξη του Ga2O3 σε μεγάλα υποστρώματα, ιδιαίτερα σε γκοφρέτες 6 ιντσών, το καθιστά ανταγωνιστική επιλογή για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων.

Δυνατότητα σε συσκευές GaN RF: Η ελάχιστη αναντιστοιχία πλέγματος με το GaN τοποθετεί το Ga2O3 ως ιδανικό υπόστρωμα για συσκευές GaN RF υψηλής απόδοσης.

Αγκαλιάστε το μέλλον της τεχνολογίας ημιαγωγών με το υπόστρωμα Ga2O3, όπου οι πρωτοποριακές ιδιότητες συναντούν απεριόριστες δυνατότητες. Κάντε επανάσταση στις εφαρμογές ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων σας με ένα υλικό σχεδιασμένο για αριστεία και αποτελεσματικότητα.