4" υποστρώματα οξειδίου του γαλλίου

Τα υποστρώματα οξειδίου του γαλλίου 4" Semicorex επιδεικνύουν εξαιρετική χημική και θερμική σταθερότητα, διασφαλίζοντας ότι η απόδοσή του παραμένει σταθερή και αξιόπιστη ακόμη και κάτω από ακραίες συνθήκες. Αυτή η στιβαρότητα είναι ζωτικής σημασίας σε εφαρμογές που περιλαμβάνουν υψηλές θερμοκρασίες και αντιδραστικά περιβάλλοντα. Επιπλέον, τα υποστρώματα οξειδίου του γαλλίου 4" διατηρούν εξαιρετική οπτική διαφάνεια σε ένα ευρύ φάσμα μήκους κύματος από το υπεριώδες έως το υπέρυθρο, καθιστώντας το ελκυστικό για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένων των διόδων εκπομπής φωτός και των διόδων λέιζερ.

Με διάκενο ζώνης που κυμαίνεται από 4,7 έως 4,9 eV, τα υποστρώματα οξειδίου του γαλλίου 4" ξεπερνούν σημαντικά το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) και το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) σε κρίσιμες εντάσεις ηλεκτρικού πεδίου, φτάνοντας έως και τα 8 MV/cm σε σύγκριση με τα 2,5 MV/cm του SiC και 3,3 MV/cm του GaN Αυτή η ιδιότητα, σε συνδυασμό με κινητικότητα ηλεκτρονίων 250 cm²/Vs και βελτιωμένη διαφάνεια στην αγώγιμη ηλεκτρική ενέργεια, δίνει στα υποστρώματα οξειδίου του γαλλίου ένα σημαντικό πλεονέκτημα στα ηλεκτρονικά ισχύος. Η αξία του Baliga του ξεπερνά τις 3000, πολλαπλάσιο του GaN και του SiC, υποδηλώνοντας ανώτερη απόδοση σε εφαρμογές ισχύος.

Τα υποστρώματα οξειδίου του γαλλίου Semicorex 4" είναι ιδιαίτερα πλεονεκτήματα για χρήση σε επικοινωνίες, ραντάρ, αεροδιαστημική, σιδηροδρομικές γραμμές υψηλής ταχύτητας και οχήματα νέας ενέργειας. Είναι εξαιρετικά κατάλληλα για αισθητήρες ανίχνευσης ακτινοβολίας σε αυτούς τους τομείς, ειδικά σε υψηλής ισχύος, υψηλής θερμοκρασίας, και συσκευές υψηλής συχνότητας όπου το Ga2O3 παρουσιάζει σημαντικά πλεονεκτήματα έναντι του SiC και του GaN.