Γκοφρέτα Epitaxy

Applεικονογραφήσεις:Το Epitaxy Wafer Carrier, που αναπτύχθηκε από τη Semicorex, έχει σχεδιαστεί ειδικά για χρήση σε διάφορες προηγμένες διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών. Αυτοί οι φορείς είναι ιδιαίτερα κατάλληλοι για περιβάλλοντα όπως:

Ενισχυμένη με πλάσμα χημική εναπόθεση ατμών (PECVD):Στις διαδικασίες PECVD, το Epitaxy Wafer Carrier είναι απαραίτητο για το χειρισμό των υποστρωμάτων κατά τη διαδικασία εναπόθεσης λεπτής μεμβράνης, διασφαλίζοντας σταθερή ποιότητα και ομοιομορφία.

Επιταξία πυριτίου και SiC:Για εφαρμογές επιτάξεως πυριτίου και SiC, όπου εναποτίθενται λεπτές στρώσεις σε υποστρώματα για να σχηματίσουν κρυσταλλικές δομές υψηλής ποιότητας, το Epitaxy Wafer Carrier διατηρεί σταθερότητα κάτω από ακραίες θερμικές συνθήκες.

Μονάδες εναπόθεσης ατμών μετάλλου-οργανικού χημικού (MOCVD):Οι μονάδες MOCVD που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή σύνθετων συσκευών ημιαγωγών όπως LED και ηλεκτρονικά ισχύος, απαιτούν φορείς που μπορούν να διατηρήσουν τις υψηλές θερμοκρασίες και τα επιθετικά χημικά περιβάλλοντα που είναι εγγενή στη διαδικασία.

Φόντα:

Σταθερή και ομοιόμορφη απόδοση σε υψηλές θερμοκρασίες:

Ο συνδυασμός επίστρωσης ισοτροπικού γραφίτη και καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει εξαιρετική θερμική σταθερότητα και ομοιομορφία σε υψηλές θερμοκρασίες. Ο ισοτροπικός γραφίτης προσφέρει σταθερές ιδιότητες προς όλες τις κατευθύνσεις, κάτι που είναι ζωτικής σημασίας για τη διασφάλιση αξιόπιστης απόδοσης στο Epitaxy Wafer Carrier που χρησιμοποιείται υπό θερμική καταπόνηση. Η επίστρωση SiC συμβάλλει στη διατήρηση της ομοιόμορφης θερμικής κατανομής, στην πρόληψη των καυτών σημείων και στη διασφάλιση της αξιόπιστης απόδοσης του φορέα για εκτεταμένες περιόδους.

Βελτιωμένη αντίσταση στη διάβρωση και εκτεταμένη διάρκεια ζωής εξαρτημάτων:

Η επίστρωση SiC, με την κυβική κρυσταλλική της δομή, έχει ως αποτέλεσμα ένα στρώμα επικάλυψης υψηλής πυκνότητας. Αυτή η δομή ενισχύει σημαντικά την αντίσταση του Epitaxy Wafer Carrier σε διαβρωτικά αέρια και χημικές ουσίες που συνήθως συναντώνται στις διεργασίες PECVD, epitaxy και MOCVD. Η πυκνή επίστρωση SiC προστατεύει το υποκείμενο υπόστρωμα γραφίτη από την υποβάθμιση, παρατείνοντας έτσι τη διάρκεια ζωής του φορέα και μειώνοντας τη συχνότητα αντικατάστασης.

Βέλτιστο πάχος επίστρωσης και κάλυψη:

Το Semicorex χρησιμοποιεί τεχνολογία επίστρωσης που εξασφαλίζει τυπικό πάχος επίστρωσης SiC από 80 έως 100 μm. Αυτό το πάχος είναι βέλτιστο για την επίτευξη ισορροπίας μεταξύ μηχανικής προστασίας και θερμικής αγωγιμότητας. Η τεχνολογία διασφαλίζει ότι όλες οι εκτεθειμένες περιοχές, συμπεριλαμβανομένων εκείνων με πολύπλοκες γεωμετρίες, είναι ομοιόμορφα επικαλυμμένες, διατηρώντας ένα πυκνό και συνεχές προστατευτικό στρώμα ακόμη και σε μικρά, περίπλοκα χαρακτηριστικά.

Ανώτερη προστασία πρόσφυσης και διάβρωσης:

Διεισδύοντας στο ανώτερο στρώμα γραφίτη με επίστρωση SiC, το Epitaxy Wafer Carrier επιτυγχάνει εξαιρετική πρόσφυση μεταξύ του υποστρώματος και της επικάλυψης. Αυτή η μέθοδος όχι μόνο διασφαλίζει ότι η επίστρωση παραμένει ανέπαφη υπό μηχανική καταπόνηση, αλλά επίσης ενισχύει την προστασία από τη διάβρωση. Το στενά συνδεδεμένο στρώμα SiC λειτουργεί ως φράγμα, εμποδίζοντας τα αντιδραστικά αέρια και τις χημικές ουσίες να φτάσουν στον πυρήνα του γραφίτη, διατηρώντας έτσι τη δομική ακεραιότητα του φορέα κατά την παρατεταμένη έκθεση σε σκληρές συνθήκες επεξεργασίας.

Δυνατότητα επικάλυψης σύνθετων γεωμετριών:

Η προηγμένη τεχνολογία επίστρωσης που χρησιμοποιεί η Semicorex επιτρέπει την ομοιόμορφη εφαρμογή της επίστρωσης SiC σε πολύπλοκες γεωμετρίες, όπως μικρές τυφλές οπές με διάμετρο έως 1 mm και βάθη άνω των 5 mm. Αυτή η ικανότητα είναι κρίσιμη για τη διασφάλιση της ολοκληρωμένης προστασίας του Φορέα Γκοφρέτας Epitaxy, ακόμη και σε περιοχές που είναι παραδοσιακά δύσκολο να επικαλυφθούν, αποτρέποντας έτσι την τοπική διάβρωση και υποβάθμιση.

Υψηλής καθαρότητας και καλά καθορισμένη διεπαφή επίστρωσης SiC:

Για την επεξεργασία πλακών από πυρίτιο, ζαφείρι, καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) και άλλα υλικά, η υψηλή καθαρότητα της διεπαφής επίστρωσης SiC αποτελεί βασικό πλεονέκτημα. Αυτή η επίστρωση υψηλής καθαρότητας του Epitaxy Wafer Carrier αποτρέπει τη μόλυνση και διατηρεί την ακεραιότητα των πλακών κατά την επεξεργασία σε υψηλή θερμοκρασία. Η καλά καθορισμένη διεπαφή διασφαλίζει τη μεγιστοποίηση της θερμικής αγωγιμότητας, επιτρέποντας την αποτελεσματική μεταφορά θερμότητας μέσω της επίστρωσης χωρίς σημαντικά θερμικά εμπόδια.

Λειτουργία ως φράγμα διάχυσης:

Η επίστρωση SiC του Epitaxy Wafer Carrier χρησιμεύει επίσης ως αποτελεσματικό φράγμα διάχυσης. Αποτρέπει την απορρόφηση και την εκρόφηση ακαθαρσιών από το υποκείμενο υλικό γραφίτη, διατηρώντας έτσι ένα καθαρό περιβάλλον επεξεργασίας. Αυτό είναι ιδιαίτερα σημαντικό στην κατασκευή ημιαγωγών, όπου ακόμη και μικρά επίπεδα ακαθαρσιών μπορούν να επηρεάσουν σημαντικά τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά του τελικού προϊόντος.