ALD Planetary Susceptor

Εφαρμογές:

Διηλεκτρική εναπόθεση υψηλού k: Το ALD Planetary Susceptor εμφανίζει εξαιρετική αντοχή σε επιθετικές πρόδρομες ουσίες που χρησιμοποιούνται για την εναπόθεση διηλεκτρικών υλικών υψηλής περιεκτικότητας σε k, όπως το οξείδιο του αφνίου (HfO2) και το οξείδιο του αργιλίου (Al2O3). Αυτό καθιστά το ALD Planetary Susceptor κατάλληλο για την κατασκευή τρανζίστορ υψηλής απόδοσης για εφαρμογές λογικής και μνήμης.

Στρώματα επιμετάλλωσης: Η σταθερότητα του ALD Planetary Susceptor σε υψηλή θερμοκρασία επιτρέπει την εναπόθεση στρωμάτων επιμετάλλωσης σε υψηλές θερμοκρασίες, οδηγώντας σε βελτιωμένες ιδιότητες φιλμ, όπως χαμηλότερη ειδική αντίσταση και υψηλότερη πυκνότητα. Αυτό είναι ζωτικής σημασίας για τη δημιουργία αποτελεσματικών διασυνδέσεων σε προηγμένες συσκευές ημιαγωγών.

Κατασκευή οπτικοηλεκτρονικής συσκευής:Η αδρανής φύση του ALD Planetary Susceptor ελαχιστοποιεί τις ανεπιθύμητες αντιδράσεις με πρόδρομες ουσίες που χρησιμοποιούνται στην εναπόθεση ευαίσθητων υλικών όπως οι ημιαγωγοί III-V, καθιστώντας το ALD Planetary Susceptor τέλεια εφαρμογή για την κατασκευή LED, λέιζερ και άλλων οπτοηλεκτρονικών εξαρτημάτων.

Κύκλος ALD

Εναπόθεση ατομικού στρώματος (ALD)προσφέρει πολλά βασικά πλεονεκτήματα σε σχέση με άλλες τεχνικές εναπόθεσης λεπτής μεμβράνης, καθιστώντας το όλο και πιο δημοφιλές για διάφορες εφαρμογές, ιδιαίτερα στη μικροηλεκτρονική και τη νανοτεχνολογία.

Εδώ είναι μερικά από τα βασικά πλεονεκτήματα του ALD:

1. Έλεγχος πάχους επιπέδου Angstrom:

Το ALD επιτρέπει τον ακριβή έλεγχο του πάχους του φιλμ μέχρι το επίπεδο angstrom (0,1 νανόμετρα). Αυτό το επίπεδο ακρίβειας επιτυγχάνεται μέσω των αυτοπεριοριζόμενων επιφανειακών αντιδράσεων, όπου κάθε κύκλος εναποθέτει ένα μόνο ατομικό στρώμα.

2. Εξαιρετική ομοιομορφία και συμμόρφωση:

Το ALD εμφανίζει εξαιρετική ομοιομορφία σε μεγάλες επιφάνειες και σύνθετες τρισδιάστατες δομές, συμπεριλαμβανομένων χαρακτηριστικών υψηλού λόγου διαστάσεων, όπως τάφρους και διόδους. Αυτό είναι ζωτικής σημασίας για εφαρμογές που απαιτούν ομοιόμορφες επιστρώσεις σε περίπλοκες γεωμετρίες, όπως σε συσκευές ημιαγωγών.

3. Χαμηλή θερμοκρασία εναπόθεσης:

Το ALD μπορεί να πραγματοποιηθεί σε σχετικά χαμηλές θερμοκρασίες (συχνά κάτω από 300°C) σε σύγκριση με άλλες τεχνικές εναπόθεσης. Αυτό είναι πλεονεκτικό για ευαίσθητα στη θερμότητα υποστρώματα και επιτρέπει τη χρήση ευρύτερου φάσματος υλικών.

4. Ταινίες υψηλής ποιότητας:

Το ALD παράγει συνήθως φιλμ με εξαιρετική πυκνότητα, χαμηλά επίπεδα ακαθαρσιών και υψηλή ομοιομορφία στη σύνθεση και το πάχος. Αυτά τα χαρακτηριστικά είναι απαραίτητα για την επίτευξη βέλτιστης απόδοσης σε διάφορες εφαρμογές.

5. Ευρεία επιλογή υλικού:

Το ALD προσφέρει μια μεγάλη ποικιλία υλικών που μπορούν να εναποτεθούν, συμπεριλαμβανομένων οξειδίων, νιτριδίων, μετάλλων και σουλφιδίων. Αυτή η ευελιξία το καθιστά κατάλληλο για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών.

6. Επεκτασιμότητα και Βιομηχανική Εφαρμογή:

Η τεχνολογία ALD είναι εξαιρετικά επεκτάσιμη και μπορεί εύκολα να ενσωματωθεί στις υπάρχουσες διαδικασίες παραγωγής. Είναι συμβατό με διάφορα μεγέθη και σχήματα υποστρώματος, καθιστώντας το κατάλληλο για παραγωγή μεγάλου όγκου.