8 ιντσών δακτύλιο κάτω EPI

Το Semicorex 8 ιντσών EPI Bottom Ring είναι ένα σημαντικό δομικό τμήμα που χρησιμοποιείται για εξοπλισμό επιταξίας ημιαγωγών και έχει σχεδιαστεί ειδικά για να είναι ο κάτω δακτύλιος του πλήρους συναρμολόγησης Sensceptor. Ο κάτω δακτύλιος υποστηρίζει το σύστημα φορέα πλακιδίων κατά τη διάρκεια της επιταξιακής ανάπτυξης του δίσκου, ενώ συμβάλλει στη σταθερότητα της μηχανιστικής, τη θερμική ομοιομορφία και την ακεραιότητα της διαδικασίας που απαιτούνται για την κατασκευή πλακών ημιαγωγών υψηλής απόδοσης. Ο κάτω δακτύλιος κατασκευάζεται από γραφίτη υψηλής καθαρότητας που έχει επικαλυφθεί, σε επίπεδο επιφάνειας, με πυκνή και ομοιόμορφη επίστρωση καρβιδίου πυριτίου (sic). Ως αποτέλεσμα, αντιπροσωπεύει μια εξαιρετικά αξιόπιστη εναλλακτική λύση για τους προχωρημένους επιταξιακούς αντιδραστήρες υπό ακραίες θερμικές και χημικές συνθήκες.

Ο γραφίτης είναι το καταλληλότερο υλικό βάσης για τον κατώτατο δακτύλιο λόγω του ελαφρού βάρους του, του εξαιρετικού θερμικού αγωγού και της μη συμπλοκής κατασκευής με εφαπτομενική και κατακόρυφες διαστάσεις σταθερότητα υπό υψηλή θερμοκρασία. Αυτές οι ιδιότητες επιτρέπουν στον πυθμένα δακτύλιο να κυκλοφορεί θερμικά σε ταχύτητα και, ως εκ τούτου, να αποδεικνύει συνεπή συνέχεια στη μηχανική απόδοση ενώ βρίσκονται σε υπηρεσία. Η εξωτερική επικάλυψη SIC εφαρμόζεται χρησιμοποιώντας μια διαδικασία εναπόθεσης χημικών ατμών (CVD) για την κατασκευή ενός πυκνού και ελάττωσης κεραμικού εξωτερικού στρώματος. Επιπλέον, η διαδικασία CVD παρέχει μια διαδικασία που περιορίζει τη φθορά και την παραγωγή σωματιδίων με το χειρισμό της επίστρωσης SIC με προσοχή να μην διαταραχθεί ο υποκείμενος γραφίτης του υποστρώματος. Ως συγχώνευση του SIC και του γραφίτη, το επιφανειακό στρώμα SIC είναι χημικά αδρανή για τη διαβρωτική δράση των αερίων διεργασίας, ειδικά με υδρογόνο και χλωριωμένα υποπροϊόντα, και έχει τόσο εξαιρετική σκληρότητα όσο και αντοχή στη φθορά - εξασφαλίζοντας όσο το δυνατόν περισσότερη υποστήριξη στο σύστημα φορέα πλακιδίων όσο το δυνατόν, ενώ χρησιμοποιείται.

Ο δακτύλιος πυθμένα EPI 8 ιντσών γίνεται για συμβατότητα με τα περισσότερα οριζόντια ή κατακόρυφα MOCVD και επιταξιακά εργαλεία CVD που καταθέτουν πυρίτιο, καρβίδιο πυριτίου ή ημιαγωγούς σύνθετων. Η βελτιστοποιημένη γεωμετρία έχει σχεδιαστεί για να ταιριάζει με την ευαισθησία και τα κορυφαία συστατικά του συστήματος κατόχου με ακριβή ευθυγράμμιση, την καθολική κατανομή θερμότητας και τη σταθερότητα στην περιστροφή των δισκίων. Η εξαιρετική επίπεδη και η ομόκεντρη του χαρακτηριστικού δακτυλίου στην εισαγωγή ομοιομορφίας επιταξιακής στρώσης και ελαχιστοποίηση των ελαττωμάτων στην επιφάνεια του δίσκου.

Ένα από τα πλεονεκτήματα αυτού του δακτυλίου γραφίτη με επικαλυμμένο με SIC είναι η συμπεριφορά χαμηλής εκπομπής σωματιδίων που ελαχιστοποιεί τη μόλυνση του δίσκου κατά την επεξεργασία. Το στρώμα SIC μειώνει την εξωραϊσμό και την παραγωγή σωματιδίων άνθρακα σε σύγκριση με τα συστατικά γραφίτη που δεν επικαλούνται με μη επικαλυμμένα για την επίτευξη περιβάλλοντος καθαρού θαλάμου και υψηλότερων ρυθμών απόδοσης. Επιπλέον, η εξαιρετική αντοχή σε θερμικό σοκ της σύνθετης δομής παρατείνει τη διάρκεια ζωής του προϊόντος, μειώνει την αντικατάσταση και το χαμηλότερο κόστος λειτουργίας για τους κατασκευαστές ημιαγωγών.

Όλοι οι δακτύλιοι του πυθμένα ελέγχονται διαστασιολογικά, ελέγχονται ποιότητα επιφάνειας και δοκιμάζονται θερμικός κύκλος για να εξασφαλίσουν ότι ανταποκρίνονται στις σημαντικές περιβαλλοντικές ανάγκες ενός περιβάλλοντος κατασκευής ημιαγωγών. Επιπλέον, το πάχος επικάλυψης επιφάνειας SIC είναι περισσότερο από επαρκές για τη συμβατότητα με μηχανικό και θερμικό δυναμικό. Οι επικαλύψεις SIC εξετάζονται συστηματικά για παράγοντες προσκόλλησης που εξασφαλίζουν ότι το ξεφλούδισμα ή η απολέπιση δεν εμφανίζεται όταν οι δακτύλιοι κάτω εκτίθενται σε εναπόθεση υψηλής θερμοκρασίας. Ο δακτύλιος επίπεδου πυθμένα μπορεί να προσαρμοστεί με λίγες παραλλαγές ιδιοκτησίας μικρής διαστάσεων και επικάλυψης για μεμονωμένες εφαρμογές σχεδιασμού και διεργασιών μεμονωμένων αντιδραστήρων.

Ο δακτύλιος Semicorex 8 ιντσών EPI από το Semicorex προσφέρει μια εξαιρετική ισορροπία αντοχής, χημικής αντοχής και ευνοϊκά θερμικά χαρακτηριστικά για τα επιταξιακά συστήματα ανάπτυξης. Λόγω των γνωστών πλεονεκτημάτων του γραφίτη επικαλυμμένου με SIC, αυτός ο δακτύλιος κάτω παρέχει υψηλότερη ποιότητα πλακιδίων, χαμηλότερη πιθανότητα μόλυνσης και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής σε οποιαδήποτε διαδικασία εναπόθεσης υψηλής θερμοκρασίας. Αυτός ο δακτύλιος κάτω έχει κατασκευαστεί για χρήση με επιταξιακή ανάπτυξη SI, SIC ή III-V. Είναι φτιαγμένο να προσφέρει αξιόπιστη, επαναλαμβανόμενη άνεση στην παραγωγή απαιτητικού υλικού ημιαγωγών.