Το Semicorex SiC Focus Ring είναι ένα συστατικό δακτυλίου από καρβίδιο του πυριτίου υψηλής καθαρότητας που έχει σχεδιαστεί για τη βελτιστοποίηση της κατανομής πλάσματος και την ομοιομορφία της διεργασίας πλακιδίων στην κατασκευή ημιαγωγών. Η επιλογή Semicorex σημαίνει διασφάλιση σταθερής ποιότητας, προηγμένης μηχανικής υλικών και αξιόπιστης απόδοσης που εμπιστεύονται κορυφαίοι κατασκευαστές ημιαγωγών παγκοσμίως.*
Το Semicorex SiC Focus Ring είναι ένα κατασκευασμένο με ακρίβεια εξάρτημα, σε σχήμα δακτυλίου, που κατασκευάζεται από καρβίδιο του πυριτίου υψηλής καθαρότητας. Το SiC Focus Ring έχει σχεδιαστεί για προηγμένες εφαρμογές επεξεργασίας ημιαγωγών. Το καρβίδιο του πυριτίου υψηλής καθαρότητας παρέχει εξαιρετική απόδοση όσον αφορά τη θερμική σταθερότητα (υψηλό σημείο τήξης), τη μηχανική αντοχή (υψηλή σκληρότητα) και τις ιδιότητες ηλεκτρικής αγωγιμότητας, κάτι που είναι κρίσιμο για να ταιριάζει με τις προδιαγραφές πολλών τεχνολογιών κατασκευής πλακιδίων επόμενης γενιάς. Το SiC Focus Ring είναι συστατικά που βρίσκονται στα συστατικά του θαλάμου χάραξης και εναπόθεσης πλάσματος και παίζουν ουσιαστικό ρόλο στον έλεγχο της κατανομής του πλάσματος, στην επίτευξη της ομοιομορφίας του πλάσματος και στην απόδοση στη μαζική παραγωγή.
Η καθαρότητα του υλικού και η ηλεκτρική απόδοση του SiC Focus Ring είναι μερικοί από τους πιο κρίσιμους παράγοντες που καθορίζουν αυτό το εξάρτημα και το διαφοροποιούν από τα κεραμικά υλικά. Υψηλής καθαρότηταςείναι σε αντίθεση με τα παραδοσιακά κεραμικά υλικά, καθώς παρέχει έναν συνδυασμό είναι σε αντίθεση με τα παραδοσιακά κεραμικά υλικά, καθώς παρέχει έναν συνδυασμό
σκληρότητα καθώς και αντοχή σε πολλές χημικές ουσίες και μοναδικές ηλεκτρικές ιδιότητες. Το πιο σημαντικό είναι ότι το καρβίδιο του πυριτίου υψηλής καθαρότητας μπορεί να κατασκευαστεί με χρήση προσμείξεων και μεθόδων επεξεργασίας για την παραγωγή των καταλληλότερων επιπέδων αγώγιμης ή προσβλητικής απόδοσης με την ιδανική ημιαγώγιμη ισορροπία για αλληλεπίδραση με το πλάσμα, επιτρέποντας σταθερή απόδοση σε περιβάλλοντα υψηλής ενέργειας όπου η συσσώρευση φορτίου και η ηλεκτρική ανισορροπία είναι πιο πιθανό να προκαλέσουν σφάλματα διαδικασίας.
Λόγω της επίδρασης των άκρων του πλάσματος, η πυκνότητα είναι μεγαλύτερη στο κέντρο και χαμηλότερη στις άκρες. Ο δακτύλιος εστίασης, μέσω του δακτυλιοειδούς του σχήματος και των υλικών ιδιοτήτων του CVD SiC, δημιουργεί ένα συγκεκριμένο ηλεκτρικό πεδίο. Αυτό το πεδίο καθοδηγεί και περιορίζει τα φορτισμένα σωματίδια (ιόντα και ηλεκτρόνια) στο πλάσμα στην επιφάνεια του πλακιδίου, ιδιαίτερα στην άκρη. Αυτό αυξάνει αποτελεσματικά την πυκνότητα του πλάσματος στην άκρη, φέρνοντάς την πιο κοντά σε αυτήν στο κέντρο. Αυτό βελτιώνει σημαντικά την ομοιομορφία χάραξης σε όλη τη γκοφρέτα, μειώνει τη ζημιά στις άκρες και αυξάνει την απόδοση.
Η Mercury Manufacturing επεξεργάζεται το SiC Focus Ring χρησιμοποιώντας εξελιγμένες διαδικασίες μηχανικής κατεργασίας και στίλβωσης που επιτυγχάνουν αυστηρές ανοχές διαστάσεων και λεία επιφάνεια. Η ακρίβεια διαστάσεων αυτών των εξαρτημάτων επιτρέπει τη συμβατότητα με τους διάφορους προμηθευτές εξοπλισμού ημιαγωγών για να διασφαλιστεί η εναλλαξιμότητα σε πολλά συστήματα χάραξης και εναπόθεσης πλάσματος. Μπορούν επίσης να αναπτυχθούν προσαρμοσμένα σχέδια για την κάλυψη συγκεκριμένων απαιτήσεων διεργασίας, όπως το πάχος του δακτυλίου, η εσωτερική και εξωτερική διάμετρος και τα επίπεδα αγωγιμότητας της επιφάνειας.
Οι εφαρμογές του SiC Focus Ring καλύπτουν μια ευρεία γκάμα στην κατασκευή ημιαγωγών: DRAM, NAND flash, Logic συσκευές και νέες τεχνολογίες ημιαγωγών ισχύος. Καθώς οι γεωμετρίες της συσκευής συρρικνώνονται και συνεχίζουν να προχωρούν μέσω των κόμβων διεργασίας, η ανάγκη για εξαιρετικά αξιόπιστα σταθερά εξαρτήματα θαλάμου όπως ο δακτύλιος εστίασης SiC καθίσταται κρίσιμη. Ο δακτύλιος εστίασης SiC παρέχει ακριβή έλεγχο του πλάσματος και βελτιώνει σταθερά την ποιότητα της γκοφρέτας, προωθώντας τις φιλοδοξίες της βιομηχανίας προς ολοένα μικρότερες, ταχύτερες και αποτελεσματικές ηλεκτρονικές συσκευές. Το Semicorex SiC Focus Ring ορίζει το σημείο τομής της επιστήμης των υλικών, της μηχανικής ακριβείας και της εξέλιξης της διαδικασίας ημιαγωγών. Ο δακτύλιος εστίασης SiC έχει εξαιρετική θερμική σταθερότητα, ανώτερη χημική αντοχή και σχεδόν ειδική ηλεκτρική αγωγιμότητα. Αυτά τα χαρακτηριστικά το καθιστούν κρίσιμο στοιχείο για τη διασφάλιση της αξιοπιστίας και της απόδοσης κατά τη διάρκεια των διαδικασιών.