Ανταλλακτικά Halfmoon με επικάλυψη SiC

Τα εξαρτήματα Halfmoon, τα οποία είναι επικαλυμμένα με υψηλής ποιότητας καρβίδιο του πυριτίου (SiC), αποτελούν ουσιαστικό χαρακτηριστικό των διαδικασιών επιταξίας τόσο ως φορείς πλακιδίων όσο και ως θερμικοί αγωγοί. Το εξειδικευμένο σχήμα του μισού φεγγαριού παρέχει μια μέθοδο συναρμολόγησης σε κυλινδρική μορφή που χρησιμεύει ως προσάρτημα εντός επιταξιακών αντιδραστήρων. Μέσα στο περιβάλλον του θαλάμου ή του αντιδραστήρα, οι γκοφρέτες πρέπει να ασφαλίζονται αλλά και να θερμαίνονται ομοιόμορφα ενώ λαμβάνει χώρα η κρίσιμη εναπόθεση λεπτής μεμβράνης. Τα εξαρτήματα Halfmoon με επίστρωση SiC παρέχουν ακριβώς τη σωστή ποσότητα μηχανικής υποστήριξης, θερμικής σταθερότητας και χημικής αντοχής για την εκτέλεση αυτών των εργασιών.

Γραφίτηςείναι το υλικό υποστρώματος για τα Halfmoon Parts και επιλέγεται λόγω της πολύ καλής θερμικής αγωγιμότητας και του σχετικά χαμηλού βάρους και αντοχής. Η επιφάνεια του γραφίτη καλύπτεται με μια πυκνή, υψηλής καθαρότητας, εναποτιθέμενη με χημικό ατμό επιφάνεια καρβιδίου του πυριτίου (CVD SiC) για να είναι ανθεκτική στα επιθετικά περιβάλλοντα που σχετίζονται με την επιταξιακή ανάπτυξη. Η επίστρωση SiC βελτιώνει την επιφανειακή σκληρότητα των εξαρτημάτων και παρέχει αντίσταση σε αντιδραστικά αέρια όπως το υδρογόνο και το χλώριο, παρέχοντας καλή μακροχρόνια σταθερότητα και πολύ περιορισμένη μόλυνση κατά τη διάρκεια της επεξεργασίας. Ο γραφίτης και το SiC συνεργάζονται στα Halfmoon Parts για να παρέχουν τη σωστή ισορροπία μηχανικής αντοχής με χημικές και θερμικές ιδιότητες.

Ένας από τους πιο ζωτικούς ρόλους τουΕπικαλυμμένο με SiCΤο Halfmoon Parts είναι η υποστήριξη των γκοφρετών. Οι γκοφρέτες αναμένεται να είναι επίπεδες και σταθερές σε ολόκληρη την επιταξία για να διευκολύνουν την ομοιόμορφη ανάπτυξη της δομής του πλέγματος στα κρυσταλλικά στρώματα. Οποιοσδήποτε βαθμός κάμψης ή αστάθειας στα υποστηρικτικά μέρη μπορεί να δημιουργήσει ελαττωματικά στρώματα στην επιταξία και τελικά να επηρεάσει την απόδοση της συσκευής. Τα εξαρτήματα Halfmoon κατασκευάζονται προσεκτικά για την απόλυτη σταθερότητα διαστάσεων σε υψηλές θερμοκρασίες για περιορισμό του δυναμικού παραμόρφωσης και παροχή κατάλληλης τοποθέτησης γκοφρέτας σε οποιαδήποτε δεδομένη επιταξιακή συνταγή. Αυτή η δομική ακεραιότητα μεταφράζεται σε καλύτερη επιταξιακή ποιότητα και μεγαλύτερη απόδοση.

Τα εξαρτήματα Halfmoon, τα οποία είναι επικαλυμμένα με υψηλής ποιότητας καρβίδιο του πυριτίου (SiC), αποτελούν ουσιαστικό χαρακτηριστικό των διαδικασιών επιταξίας τόσο ως φορείς πλακιδίων όσο και ως θερμικοί αγωγοί. Το εξειδικευμένο σχήμα του μισού φεγγαριού παρέχει μια μέθοδο συναρμολόγησης σε κυλινδρική μορφή που χρησιμεύει ως προσάρτημα εντός επιταξιακών αντιδραστήρων. Μέσα στο περιβάλλον του θαλάμου ή του αντιδραστήρα, οι γκοφρέτες πρέπει να ασφαλίζονται αλλά και να θερμαίνονται ομοιόμορφα ενώ λαμβάνει χώρα η κρίσιμη εναπόθεση λεπτής μεμβράνης. Τα εξαρτήματα Halfmoon με επίστρωση SiC παρέχουν ακριβώς τη σωστή ποσότητα μηχανικής υποστήριξης, θερμικής σταθερότητας και χημικής αντοχής για την εκτέλεση αυτών των εργασιών.

Η καθαριότητα είναι ένα άλλο σημαντικό πλεονέκτημα. Δεδομένου ότι η επιταξία είναι πολύ ευαίσθητη στη μόλυνση, η χρήση της επικάλυψης CVD SiC εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας εξαλείφει τη μόλυνση από τον θάλαμο αντίδρασης. Αυτό ελαχιστοποιεί τη δημιουργία σωματιδίων και προστατεύει τις γκοφρέτες από ελαττώματα. Η συνεχής μείωση του μεγέθους των γεωμετριών της συσκευής και η συνεχής μείωση των απαιτήσεων της επιταξιακής διαδικασίας καθιστούν τον έλεγχο της μόλυνσης ζωτικής σημασίας για τη διασφάλιση της σταθερής ποιότητας παραγωγής.

Τα ανταλλακτικά Halfmoon με επίστρωση Semicorex SiC όχι μόνο αντιμετωπίζουν προβλήματα καθαριότητας, είναι επίσης ευέλικτα και μπορούν να ρυθμιστούν ώστε να ταιριάζουν σε διάφορες διαμορφώσεις επιταξιακού συστήματος. Μπορούν επίσης να κατασκευαστούν σε ορισμένες διαστάσεις, πάχη επικάλυψης και σχέδια/ανοχές που ταιριάζουν υποθετικά στον απαιτητικό εξοπλισμό. Αυτή η ευελιξία βοηθά στη διασφάλιση ότι ο υπάρχων εξοπλισμός μπορεί να ενσωματωθεί απρόσκοπτα και να διατηρήσει την πιο ευνοϊκή συμβατότητα διαδικασίας.