Χωνευτήρια γραφίτη επικαλυμμένα με SiC

Εγκατεστημένο στο κέντρο των κλιβάνων ανάπτυξης κρυστάλλων υψηλής θερμοκρασίας,Επικαλυμμένο με SiCΤα χωνευτήρια γραφίτη λειτουργούν σε συνδυασμό με θερμαντήρες, θερμομονωτικά χιτώνια, σωλήνες οδηγού ροής και άξονες χωνευτηρίου για να σχηματίσουν το πλήρες σύστημα θερμικού πεδίου. Αυτό το σύστημα θερμικών πεδίων μπορεί να διατηρήσει ένα σταθερό περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας απαραίτητο για την ανάπτυξη των κρυστάλλων.

Η παραγωγή επικαλυμμένων με SiCχωνευτήρια γραφίτησυνήθως ξεκινά με τη χρήση της προηγμένης τεχνολογίας χημικής εναπόθεσης ατμών για την ομοιόμορφη απόθεση ενός πυκνούκαρβίδιο του πυριτίουεπίστρωση στην επιφάνεια του διαμορφωμένου υποστρώματος γραφίτη. Αποτελείται από υψηλής καθαρότηταςγραφίτηςυπόστρωμα και η πυκνή επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου, το χωνευτήριο γραφίτη με επικάλυψη SiC σχηματίζει μια συνεργιστική δομή που συνδυάζει τη θερμική αγωγιμότητα του γραφίτη με την αντίσταση στη διάβρωση του καρβιδίου του πυριτίου.

Η μέθοδος Czochralski είναι η καθολική βιομηχανική τεχνική για την ανάπτυξη κρυστάλλων. Αυτή η τεχνική θα ασκήσει τη φυγόκεντρη δύναμη στο χωνευτήριο κατά την παραγωγή κρυστάλλων. Η ανώτερη αντοχή σε κάμψη και σκληρότητα των χωνευτηρίων γραφίτη με επικάλυψη SiC μπορεί να αποτρέψει τη θραύση ή το ράγισμα κατά την περιστροφή υψηλής ταχύτητας, μειώνοντας αποτελεσματικά τις διακοπές παραγωγής που προκαλούνται από ζημιά στο χωνευτήριο. Επιπλέον, τα χωνευτήρια πρέπει να υποστούν δραστικές διακυμάνσεις θερμοκρασίας μέσα σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά τη διάρκεια αυτής της διαδικασίας. Χάρη για την αξιοσημείωτη αντοχή τους στο θερμικό σοκ, τα χωνευτήρια γραφίτη με επικάλυψη SiC μπορούν να μειώσουν τη δομική βλάβη που σχετίζεται με τη θερμική καταπόνηση, να εξασφαλίσουν τη σταθερότητα του σχήματός τους, μειώνοντας έτσι τα ελαττώματα ανάπτυξης κρυστάλλων που προκαλούνται από παραμόρφωση του χωνευτηρίου.

Κάτω από υψηλές θερμοκρασίες, χωνευτήρια γραφίτη επικαλυμμένα με SiC θα σχηματίσουν ένα πυκνό προστατευτικό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου. Αυτό το προστατευτικό στρώμα μπορεί να απομονώσει το υπόστρωμα γραφίτη από ατμούς πυριτίου και λιωμένο πυρίτιο, ελαχιστοποιώντας έτσι τους κινδύνους διάβρωσης του υποστρώματος γραφίτη και μόλυνσης από κρυστάλλους που σχετίζονται με το ξεφλούδισμα της επίστρωσης. Επομένως, τα χωνευτήρια γραφίτη με επικάλυψη SiC της Semicorex μπορούν να αντέξουν διάφορα περίπλοκα περιβάλλοντα διάβρωσης υψηλής θερμοκρασίας για παρατεταμένες περιόδους στην πραγματική λειτουργία. Αυτό εξασφαλίζει σταθερή σύνθεση κρυστάλλου και μειώνει τα ποσοστά ελαττωμάτων, τα οποία είναι απαραίτητα για την παραγωγή κρυστάλλων ημιαγωγών υψηλής ποιότητας.