Si Epitaxy

Η επιταξία Si επιτρέπει τη μηχανική διαμόρφωση συγκεκριμένων ιδιοτήτων στρώματος, όπως το πάχος, η συγκέντρωση ντόπινγκ και η σύνθεση. Με την εισαγωγή ελεγχόμενων ποσοτήτων ακαθαρσιών, γνωστών ως προσμείξεων, στο επιταξιακό στρώμα, τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των συσκευών που προκύπτουν μπορούν να προσαρμοστούν με ακρίβεια. Αυτό επιτρέπει τη δημιουργία διαφορετικών περιοχών με διακριτούς τύπους αγωγιμότητας (n-type ή p-type) και επιθυμητές συγκεντρώσεις φορέα, επιτρέποντας την ενσωμάτωση πολύπλοκων ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.

Η επιταξία Si είναι μια θεμελιώδης διαδικασία στην κατασκευή προηγμένων συσκευών ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων μικροεπεξεργαστών, τσιπ μνήμης, αισθητήρων εικόνας και ηλιακών κυψελών. Διαδραματίζει ζωτικό ρόλο στη βελτίωση της απόδοσης, της σμίκρυνσης και της λειτουργικότητας της συσκευής. Η ικανότητα απόθεσης επιταξιακών στρωμάτων υψηλής ποιότητας με ακριβή έλεγχο των ιδιοτήτων του υλικού συμβάλλει στη συνεχή πρόοδο και καινοτομία στη βιομηχανία ημιαγωγών.