> Νέα

Νέα

Εξάρθρωση σε κρυστάλλους SiC

Το υπόστρωμα SiC μπορεί να έχει μικροσκοπικά ελαττώματα, όπως εξάρθρωση βίδας σπειρώματος (TSD), εξάρθρωση ακμών σπειρώματος (TED), εξάρθρωση επιπέδου βάσης (BPD) και άλλα. Αυτά τα ελαττώματα προκαλούνται από αποκλίσεις στη διάταξη των ατόμων σε ατομικό επίπεδο.

Διαβάστε περισσότερα

Σχετικά με ελαττώματα κρυστάλλων SiC - Micropipe

SiC substrate can have microscopic defects, such as Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), and others. These defects are caused by deviations in the arrangement of atoms at the atomic level. SiC crystals may also have macroscopic dislocatio......

Διαβάστε περισσότερα

Γιατί να επιλέξετε τη μέθοδο επιτάξεως υγρής φάσης;

Σε σύγκριση με τη μέθοδο PVT, η μέθοδος υγρής φάσης για την ανάπτυξη του SiC έχει τα ακόλουθα πλεονεκτήματα:

Διαβάστε περισσότερα

Τι είναι η επιταξία υγρής φάσης;

Η μέθοδος υγρής φάσης είναι πιο κοντά στις συνθήκες θερμοδυναμικής ισορροπίας και μπορεί να αναπτύξει κρυστάλλους SiC με καλύτερη ποιότητα.

Διαβάστε περισσότερα

Επικάλυψη TaC

Σύμφωνα με τα αποτελέσματα της έρευνας, η επίστρωση TaC μπορεί να λειτουργήσει ως στρώμα προστασίας και απομόνωσης για να παρατείνει τη διάρκεια ζωής του εξαρτήματος γραφίτη, να βελτιώσει την ομοιομορφία της ακτινικής θερμοκρασίας, να διατηρήσει τη στοιχειομετρία εξάχνωσης του SiC, να καταστείλει τη......

Διαβάστε περισσότερα

Τι είναι η διαδικασία CVD στον ημιαγωγό;

Η εναπόθεση χημικών ατμών CVD αναφέρεται στην εισαγωγή δύο ή περισσότερων αέριων πρώτων υλών σε ένα θάλαμο αντίδρασης υπό συνθήκες κενού και υψηλής θερμοκρασίας, όπου οι αέριες πρώτες ύλες αντιδρούν μεταξύ τους για να σχηματίσουν ένα νέο υλικό, το οποίο εναποτίθεται στην επιφάνεια του πλακιδίου.

Διαβάστε περισσότερα

<...39 40 41 42 43...47 >